[发明专利]用于生成读控制信号的控制电路、存储器在审
申请号: | 202211038306.7 | 申请日: | 2022-08-29 |
公开(公告)号: | CN115359817A | 公开(公告)日: | 2022-11-18 |
发明(设计)人: | 徐依然;马继荣 | 申请(专利权)人: | 北京紫光青藤微系统有限公司 |
主分类号: | G11C7/08 | 分类号: | G11C7/08;G11C7/10;G11C7/12 |
代理公司: | 北京康盛知识产权代理有限公司 11331 | 代理人: | 高会会 |
地址: | 100000 北京市海淀区王庄路*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 生成 控制 信号 控制电路 存储器 | ||
本申请涉及电路控制技术领域,公开一种用于生成读控制信号的控制电路及存储器。该控制电路在电源电压VCC变大时,延时反相电压VA释放时间变长,由于参考电压VREF与电源电压VCC成正比,因此VREF也同时变大,能够使得经过比较器电路后输出的读控制信号PREb脉宽变窄,即基于参考电压VREF生成的延时反相电压VA受电源电压VCC波动的影响较小,进而减小了读控制信号PREb受电源电压VCC波动的影响,提高了读控制信号的稳定性。本申请还公开一种存储器。
技术领域
本申请涉及电路控制技术领域,例如涉及一种用于生成读控制信号的控制电路、存储器。
背景技术
目前,在汽车电子、工业控制等高端应用领域,对芯片的工作频率要求越来越高,存储器的读取速度具有重要意义。
存储器的读取主要由灵敏放大器电路及其读控制电路实现,在读控制电路产生的信号控制下,第一阶段灵敏放大器对选中的位线进行预充,第二阶段即预充结束后读取存储单元电流与参考电流进行比较形成数据点电压,第三阶段即将数据点电压转换成输出数字逻辑,即由读控制电路控制灵敏放大器电路的工作,
在实现本公开实施例的过程中,发现相关技术中至少存在如下问题:
读控制电路主要由读定时电路产生一系列的控制信号,读控制电路通常容易受到电压波动的影响,进而直接影响存储器的读取速度和效率。
发明内容
为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解,下面给出了简单的概括。所述概括不是泛泛评述,也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围,而是作为后面的详细说明的序言。
本公开实施例提供一种用于生成读控制信号的控制电路和存储器,以降低电压对读控制信号的影响。
在一些实施例中,用于生成读控制信号的控制电路包括:参考电压产生电路,包括与电源连接的参考电压输入端,和,输出参考电压VREF的参考电压输出端;其中,参考电压根据电源电压和预设比例关系产生,预设比例关系为正比例关系;延时单元,包括与电源连接的第一延时输入端,接收脉冲检测信号的第二延时输入端,和,输出延时反相电压VA的延时输出端;其中,延时反相电压根据电源电压和脉冲检测信号生成;比较器电路,包括连接参考电压输出端的第一比较输入端,连接延时输出端的第二比较输入端,和,输出读控制信号的读控制信号输出端;其中,读控制信号根据参考电压和延时反相电压VA的比较结果生成,读控制信号与脉冲检测信号反相,且读控制信号的脉宽大于脉冲检测信号的脉宽。
进一步地,上述参考电压产生电路包括:第一NMOS管,第一NMOS管的漏极和栅极共同作为参考电压输入端与电源连接,第一NMOS管的源极通过电阻模块接地。
进一步地,上述电阻模块包括:串联的第一分压电阻和第二分压电阻,串联的第一分压电阻和第二分压电阻的一端接地,另一端与第一NMOS管的源极连接;其中,以第二分压电阻的电压值作为参考电压输出。
进一步地,上述参考电压产生电路被配置成使参考电压与第一NMOS管的阈值电压成反比例关系。
进一步地,上述延时单元包括:反相器,反相器的输入端为第一延时输入端,反相器的输出端输出反相信号,其中,反相信号通过对脉冲检测信号进行反相处理获得;延时子电路,延时子电路的输入端与反相器的输出端连接,延时子电路被配置为根据反相信号生成延时反相电压。
进一步地,上述延时子电路包括:开关电路,开关电路的第一输入端与电源连接,开关电路的第二输入端为延时子电路的输入端,开关电路的第三输入端接地,开关电路被配置为当反相信号为低电平时,将延时反相电压设置为等于电源电压并输出,当反相信号为高电平时,将延时反相电压设置为0并输出。
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