[发明专利]用于生成读控制信号的控制电路、存储器

权利要求书

1.一种用于生成读控制信号的控制电路，其特征在于，包括：

参考电压产生电路，包括与电源连接的参考电压输入端，和，输出参考电压的参考电压输出端；其中，参考电压根据电源电压和预设比例关系产生，所述预设比例关系为正比例关系；

延时单元，包括与所述电源连接的第一延时输入端，接收脉冲检测信号的第二延时输入端，和，输出延时反相电压的延时输出端；其中，延时反相电压根据所述电源电压和所述脉冲检测信号生成；

比较器电路，包括连接所述参考电压输出端的第一比较输入端，连接所述延时输出端的第二比较输入端，和，输出读控制信号的读控制信号输出端；其中，所述读控制信号根据所述参考电压和所述延时反相电压的比较结果生成，所述读控制信号与所述脉冲检测信号反相，且所述读控制信号的脉宽大于所述脉冲检测信号的脉宽。

2.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述参考电压产生电路包括：

第一N沟道场效应NMOS管，所述第一NMOS管的漏极和栅极共同作为所述参考电压输入端与所述电源连接，所述第一NMOS管的源极通过电阻模块接地。

3.根据权利要求2所述的控制电路，其特征在于，所述电阻模块包括：

串联的第一分压电阻和第二分压电阻，所述串联的第一分压电阻和第二分压电阻的一端接地，另一端与所述第一NMOS管的源极连接；其中，以所述第二分压电阻的电压值作为参考电压输出。

4.根据权利要求3所述的控制电路，其特征在于，所述参考电压产生电路被配置成使所述参考电压与所述第一NMOS管的阈值电压成反比例关系。

5.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述延时单元包括：

反相器，所述反相器的输入端为所述第一延时输入端，所述反相器的输出端输出反相信号，其中，所述反相信号通过对所述脉冲检测信号进行反相处理获得；

延时子电路，所述延时子电路的输入端与所述反相器的输出端连接，所述延时子电路被配置为根据所述反相信号生成所述延时反相电压V_A。

6.根据权利要求5所述的控制电路，其特征在于，所述延时子电路包括：

开关电路，所述开关电路的第一输入端与所述电源连接，所述开关电路的第二输入端为所述延时子电路的输入端，所述开关电路的第三输入端接地，所述开关电路被配置为当所述反相信号为低电平时，将所述延时反相电压设置为等于所述电源电压并输出，当所述反相信号为高电平时，将所述延时反相电压设置为0并输出。

7.根据权利要求6所述的控制电路，其特征在于，所述开关电路包括：

第一P沟道场效应PMOS管，源极作为所述开关电路的第一输入端与所述电源连接，栅极连接所述反相器的输出端；

第二NMOS管，所述第二NMOS管的源极作为所述开关电路的第三输入端接地，所述第二NMOS管的栅极与所述反相器的输出端连接，所述第二NMOS管的漏极连接第三电阻的第一端，所述第三电阻的第二端与所述第一PMOS管的漏极共同作为所述开关电路的输出端；

电容，所述电容的第一端接地，所述电容的第二端连接在所述延时子电路的输出端与所述比较器电路的第二比较输入端之间。

8.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述比较器电路包括：

电压比较器，所述电压比较器的正输入端为所述比较器电路的第一比较输入端，所述电压比较器的负输入端为所述比较器电路的第二比较输入端，所述电压比较器的输出端为所述比较器电路的读控制信号输出端，所述电压比较器被配置为当接收到的所述延时反相电压V_A为0时，将所述读控制信号设置为1并输出，当接收到的所述延时反相电压V_A为所述电源电压时，将所述读控制信号设置为0并输出。

9.一种存储器，其特征在于，包括如权利要求1至8任一项所述的用于生成读控制信号的控制电路。

10.根据权利要求9所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括灵敏放大器电路，所述灵敏放大器电路的输入端与所述控制电路的输出端连接，所述灵敏放大器电路被配置成读取所述控制电路输出的读控制信号。