[发明专利]用于执行智能刷新操作的存储器件和包括其的存储系统

说明书

本公开的实施例涉及一种存储器件和包括其的存储系统。存储器件可以包括：存储体，包括用作正常区域的第一单元矩阵和用作行锤区域和冗余区域的第二单元矩阵；目标地址生成电路，其适用于：通过在激活操作期间对行锤区域执行内部访问操作，把用于对存储体进行的激活操作的接收地址的计数保存在行锤区域中，以及，把与满足预设条件的特定计数相对应的地址设置为目标地址；刷新控制电路，其适用于控制对目标地址的智能刷新操作；和列修复电路，其适用于当正常区域的位线有缺陷时，用冗余区域的位线修复正常区域的位线。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年9月6日提交的申请号为10-2021-0118434的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

技术领域

本公开的各种实施例涉及一种半导体电路，具体地，涉及一种用于执行智能刷新操作的存储器件，以及一种包括该存储器件的存储系统。

背景技术

一种半导体器件，包括用于在其中储存数据的多个存储单元。每个存储单元由单元电容器和单元晶体管组成。半导体器件通过单元电容器的充电或放电操作来储存数据，并且储存在单元电容器中的电荷量需要始终保持恒定。然而，储存在单元电容器中的电荷量由于与外围电路的电压差而改变。这样，当储存在单元电容器中的电荷量改变时，就表明储存在单元电容器中的数据发生了改变。在这种情况下，储存的数据可能会丢失。半导体器件执行刷新操作以便防止这种数据丢失。

由于加工技术的发展已逐渐提高了半导体器件的集成度，因此存储单元之间的距离缩小，并且与各个存储单元耦接的字线之间的距离缩小。当字线之间的距离缩小时，相邻字线之间可能会发生干扰，这使得难以保留与相应字线耦接的存储单元中储存的数据。也就是说，数据丢失的概率会增大。

发明内容

本公开的各种实施例涉及一种存储器件，其另外包括用于保存用于激活操作的接收地址的计数信息的存储区域，并且根据该计数信息来执行刷新与被最频繁激活的字线邻近的字线的智能刷新操作，以及包括该存储器件的存储系统。

本公开所要解决的技术问题不限于上述那些，本领域技术人员可以通过以下描述清楚地理解其他未提及的技术问题。

在本公开的实施例中，一种存储器件可以包括：存储体，其包括用作正常区域的第一单元矩阵和用作行锤区域和冗余区域的第二单元矩阵，所述区域中的每个区域都是存储单元阵列；目标地址生成电路，其适用于：在激活操作期间通过对所述行锤区域执行内部访问操作，把用于对所述存储体进行的所述激活操作的接收地址的计数保存在所述行锤区域中，以及把与满足预设条件的特定的计数相对应的地址设置为目标地址；刷新控制电路，其适用于控制对所述目标地址进行的智能刷新操作；以及列修复电路，其适用于当所述正常区域的位线有缺陷时，用所述冗余区域的位线来修复所述正常区域的位线。

在本公开的实施例中，一种存储系统可以包括：存储器件，其包括第一存储体和第二存储体，所述第一存储体包括用作第一正常区域的第一单元矩阵和用作行锤区域和第一冗余区域的第二单元矩阵，所述第二存储体包括用作第二正常区域的第三单元矩阵和用作第二冗余区域的第四单元矩阵，所述区域中的每个区域都是存储单元阵列；以及存储控制器，其适用于将重要数据储存在第一存储体中，将正常数据储存在第二存储体中，所述正常数据的可靠性低于所述重要数据。存储器件可以包括：目标地址生成电路，其适用于在激活期间通过对所述行锤区域执行内部访问操作，把用于对所述第一存储体进行的所述激活操作的接收地址的计数保存在所述行锤区域中，并且把与满足预设条件的特定的计数相对应的地址设置为目标地址；刷新控制电路，其适用于控制对所述目标地址进行的智能刷新操作；和列修复电路，其适用于当所述第一正常区域的位线有缺陷时，用所述第一冗余区域的位线修复所述第一正常区域的位线，以及当所述第二正常区域的位线有缺陷时，用所述第二冗余区域的位线修复所述第二正常区域的位线。