[发明专利]一种铜箔及其生产设备与生产方法

权利要求书

1.一种铜箔生产方法，其特征在于，包括：采用铜箔生产设备进行生产；

所述铜箔生产设备包括阳极槽、钛阳极板以及阴极钛箔；

所述钛阳极板包括上下平行设置的第一钛阳极板和第二钛阳极板，所述第一钛阳极板与所述第二钛阳极板之间形成用于供阴极钛箔通过的通道，所述第一钛阳极板以及所述第二钛阳极板均位于所述阳极槽内；

所述阴极钛箔的上表面和下表面均具有氧化钛膜，所述阴极钛箔用于在通过所述通道的过程中沉积铜箔；

所述第一钛阳极板的下表面与所述第二钛阳极板的上表面之间的距离为1-3cm；

所述阴极钛箔的上表面和下表面具有的所述氧化钛膜的厚度均为5-20μm；

在电解条件下，将所述阴极钛箔匀速通过所述通道并在通过过程中对处于所述通道内的阴极钛箔表面沉积铜箔；通过速度不超过10m/min；

沉积铜箔所用的电解液为硫酸铜体系电解液；所述硫酸铜体系电解液包括基础成分和添加剂；

其中，以每L电解液计，所述基础成分包括350-360g/L的硫酸铜、100-130g/L的硫酸以及不超过10mg/L的氯离子；

所述添加剂包括A剂和B剂，以每L电解液计，所述A剂包括50-200mg/L羟乙基纤维素、10-100mg/L聚乙二醇、40-60mg/L多肽蛋白、20-60mg/L烷基化聚乙烯亚胺以及10-30mg/L脂肪胺乙氧基磺化物中的至少一种；所述B剂包括5.0-10.0mg/L聚二硫二丙烷磺酸钠、20.0-100.0mg/L 3-巯基-1-丙烷磺酸钠、1.0-10.0mg/L N,N-二甲基-二硫代羰基丙烷磺酸钠以及2.0-6.0mg/L四氢噻唑硫酮中的至少一种；

所述添加剂还包括C剂，所述C剂包括0.5-5.0mg/L硫氮杂苯衍生物、0.5-5.0mg/L吖吡啶衍生物以及0.5-5.0mg/L取代肼衍生物中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的铜箔生产方法，其特征在于，所述铜箔生产设备还包括用于支撑所述阴极钛箔的支撑装置；

所述支撑装置包括至少一组第一支撑组件，所有的所述第一支撑组件均设置于所述阳极槽内并对所述阴极钛箔位于所述阳极槽内的部分进行支撑。

3.根据权利要求2所述的铜箔生产方法，其特征在于，每组所述第一支撑组件均分别包括配套的上支撑件和下支撑件，所述上支撑零件用于与所述阴极钛箔的上表面抵接，所述下支撑零件用于与所述阴极钛箔的下表面抵接。

4.根据权利要求3所述的铜箔生产方法，其特征在于，所述通道的入口端和出口端均分别设有至少一组所述第一支撑组件。

5.根据权利要求2所述的铜箔生产方法，其特征在于，所述支撑装置包括至少一组第二支撑组件，所有的所述第二支撑组件均设置于所述阳极槽外并对所述阴极钛箔位于所述阳极槽外的部分进行支撑。

6.根据权利要求1所述的铜箔生产方法，其特征在于，通过速度为2-6m/min。

7.根据权利要求1所述的铜箔生产方法，其特征在于，所述阴极钛箔经以下方法制备得到：采用表面氧化方式于钛箔基体的上表面和下表面镀氧化钛膜。

8.根据权利要求7所述的铜箔生产方法，其特征在于，表面氧化方式包括阳极氧化方式或高温氧化方式。

9.根据权利要求8所述的铜箔生产方法，其特征在于，阳极氧化过程中所用的电流为直流形式或脉冲形式。

10.根据权利要求9所述的铜箔生产方法，其特征在于，阳极氧化过程中所用的阳极氧化溶液由硫酸、草酸和乳酸中至少一种配置而成，或采用沉积铜箔所用的电解液。

11.根据权利要求9所述的铜箔生产方法，其特征在于，阳极氧化过程中，电压为15-50V，电流为0.5-2A，处理时间为3-5min。