[发明专利]一种修饰MXene的方法及其应用在审
| 申请号： | 202210992352.4 | 申请日： | 2022-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN115385337A | 公开（公告）日： | 2022-11-25 |
| 发明（设计）人： | 万艳君;王晓允;廖思远;朱朋莉;胡友根;孙蓉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院深圳先进技术研究院;深圳先进电子材料国际创新研究院 |
| 主分类号： | C01B32/921 | 分类号： | C01B32/921;B82Y40/00;H05K9/00 |
| 代理公司： | 北京市诚辉律师事务所 11430 | 代理人： | 范盈;姚幸茹 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 修饰 mxene 方法 及其 应用 | ||
1.一种修饰MXene的方法，其特征在于，所述修饰MXene为用氨基酸对MXene进行修饰；所述修饰MXene的方法包括如下步骤：
将MXene纳米片与氨基酸分子于溶液中混合反应即完成修饰。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述MXene纳米片与氨基酸分子于溶液中混合反应完成修饰的时间≥24h。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述溶液中每0.1g MXene纳米片对应0.01mol～0.03mol氨基酸；
优选地，所述氨基酸分子在溶液中的浓度为0.01mol/L～0.3mol/L。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述MXene纳米片选自多层MXene纳米片和单层MXene纳米片中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述MXene为Ti3C2Tx。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述Ti3C2Tx由液相剥离法或熔融盐法制备得到；
优选地，所述液相剥离法为通过蚀刻MAX相Ti3AlC2粉末，具体包括以下步骤：
将MAX相Ti3AlC2粉末加入蚀刻剂溶液中，搅拌24～48h后，离心洗涤至pH≥6；
优选地，所述蚀刻剂溶液为LiF溶于盐酸后得到的溶液。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氨基酸分子选自丙氨酸、甘氨酸、赖氨酸、谷氨酸、精氨酸、组氨酸和半胱氨酸中的至少一种。
8.权利要求1-7任一所述的方法得到的氨基酸分子修饰的MXene。
9.一种氨基酸分子修饰的MXene薄膜，其特征在于，所述氨基酸分子修饰的MXene薄膜由权利要求8所述的氨基酸分子修饰的MXene制备得到。
10.权利要求9所述的氨基酸分子修饰的MXene薄膜在制备电磁屏蔽材料中的应用。
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