[发明专利]阵列基板及显示面板

说明书

本申请实施例提供一种阵列基板及显示面板。包括第一有源层、栅极、栅极绝缘层、第二有源层以及源/漏金属层，且第一有源层通过该导体层与第二有源层并联。通过两层并联的有源层结构，有效提高器件的开态电流和载流子迁移率，并提高器件的综合性能。

技术领域

本发明涉及显示面板的制造技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示面板。

背景技术

随着显示面板制备技术的发展，人们对显示面板及显示装置的显示效果以及综合性能均提出了更高的要求。

显示面板中，低温多晶硅薄膜晶体管是液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)和有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)等显示装置中有源驱动、周边电路中的关键部件。其中，为了提高薄膜晶体管的性能，现有技术中，通常通过在薄膜晶体管内部制备形成轻掺杂漏、抬升源漏等结构，通过轻掺杂漏、抬升源漏结构以达到提高薄膜晶体管器件的稳定性及可靠性。因此，由上述结构制备得到的器件，虽然能在一定程度上可对薄膜晶体管的性能进行提升。但是，上述结构还会额外引入新的串联电阻结构，该串联电阻结构容易导致薄膜晶体管内部的开态电流以及等效载流子的迁移率降低，进而影响薄膜晶体管的性能，不利于薄膜晶体管综合性能的进一步提高。

综上所述，现有的显示面板中，显示面板内部的薄膜晶体管的开态电流以及等效载流子的迁移率较低，不利于显示面板综合性能的进一步提高。

发明内容

本发明实施例提供一种阵列基板及显示面板。以有效的提高显示面板内部的薄膜晶体管的开态电流及载流子的迁移率，并提高器件的综合性能。

为解决上述技术问题，本发明提供一种阵列基板及显示面板。该阵列基板包括：

衬底；

第一有源层，设置于所述衬底之上，所述第一有源层包括第一沟道区以及设置在所述第一沟道区两侧的第一掺杂区；

栅极，设置于所述第一有源层之上；

栅极绝缘层，设置于所述第一有源层之上，并覆盖所述栅极；

第二有源层，设置于所述栅极绝缘层之上，所述第二有源层包括第二沟道区以及设置在所述第二沟道区两侧的第二掺杂区；以及，

源/漏金属层，设置于所述第二有源层之上；

其中，所述第一掺杂区与所述第二掺杂区对应设置，所述源/漏金属层与所述第二掺杂区内的所述第二有源层电性连接，且所述第一掺杂区内的所述第一有源层，对应的与所述第二掺杂区内的所述第二有源层电性连接。

根据本发明一实施例，所述第二掺杂区在所述衬底上的正投影的长度，大于所述第一掺杂区在所述衬底上的正投影的长度。

根据本发明一实施例，所述第一掺杂区以及所述第二掺杂区均包括重掺杂区与轻掺杂区，所述轻掺杂区与所述重掺杂区相邻，且所述重掺杂区远离沟道区设置；

其中，所述第一有源层的所述重掺杂区与所述第二有源层的所述重掺杂区相对应，所述第一有源层的所述轻掺杂区与所述第二有源层的所述轻掺杂区相对应，且所述源/漏金属层与所述重掺杂区内对应的所述第二有源层电性连接。

根据本发明一实施例，所述阵列基板还包括第一过孔与第二过孔，所述第一有源层的所述重掺杂区通过所述第一过孔以及所述第二过孔，与所述第二有源层的所述重掺杂区连接。

根据本发明一实施例，所述阵列基板还包括导体层，所述导体层设置在所述第一过孔与所述第二过孔内，且所述第一有源层通过所述导体层与所述第二有源层并联。

根据本发明一实施例，所述导体层的材料与所述重掺杂区内对应的所述第二有源层的材料相同。