[发明专利]一种自由落体冲击传感器标定装置在审
申请号: | 202210979641.0 | 申请日: | 2022-08-16 |
公开(公告)号: | CN115389098A | 公开(公告)日: | 2022-11-25 |
发明(设计)人: | 方厚林;李翱;郭权势;卢强;陶思昊;白武东;李凯凯;李鹏毅 | 申请(专利权)人: | 西北核技术研究所 |
主分类号: | G01L25/00 | 分类号: | G01L25/00;G01P21/00;G01P21/02;F16H25/24 |
代理公司: | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人: | 杨引雪 |
地址: | 710024 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 自由落体 冲击 传感器 标定 装置 | ||
1.一种自由落体冲击传感器标定装置,其特征在于:包括圆柱形的落锤(7)和导向杆(8),以及圆形的靶板组件和导杆安装板(9);
所述靶板组件、所述落锤(7)和所述导杆安装板(9)从下至上依次同轴且平行设置;
所述靶板组件的上表面用于安装标准传感器和待标定传感器(82);
所述导向杆(8)上端与所述导杆安装板(9)连接,下端与所述靶板组件连接;
所述落锤(7)与所述导向杆(8)间隙配合,使得所述落锤(7)能够沿所述导向杆(8)自由落体至所述靶板组件上。
2.根据权利要求1所述的自由落体冲击传感器标定装置,其特征在于:所述靶板组件包括从下至上依次同轴且平行连接的缓冲垫(10)、靶板基座(11)、和绝缘垫(12);
所述靶板基座(11)上表面设有与所述靶板基座(11)同轴且向上的圆筒状凸起;
所述绝缘垫(12)套设在所述圆筒状凸起上,所述绝缘垫(12)的上表面绕其中心轴均匀分布有用于安装标准传感器和待标定传感器(82)的螺栓;
所述圆筒状凸起的上表面高于所述绝缘垫(12)的上表面;
所述导向杆(8)下端依次穿过所述绝缘垫(12)、所述靶板基座(11)和所述缓冲垫(10)固定设置。
3.根据权利要求1或2所述的自由落体冲击传感器标定装置,其特征在于:还包括驱动电机(2)和丝杠(6);
所述驱动电机(2)安装在所述靶板组件下方,其输出轴穿过所述靶板组件中心与所述丝杠(6)的下端连接;
所述丝杠(6)与所述靶板组件同轴设置,其上端与所述导杆安装板(9)可旋转连接;
所述落锤(7)包括落锤本体(71)和旋转控制环(75),以及结构相同且对称设置的左伸缩组件(72)和右伸缩组件(73);
所述落锤本体(71)中间设有供所述丝杠(6)穿过的第一通孔,其侧壁上对称设有左滑槽和右滑槽,其下方设有与所述导向杆(8)间隙配合的落锤基座;
所述左伸缩组件(72)和所述右伸缩组件(73)分别安装在所述左滑槽和所述右滑槽内;所述左伸缩组件(72)和所述右伸缩组件(73)能够分别穿过所述左滑槽和所述右滑槽的槽底伸入所述第一通孔与所述丝杠螺纹配合;
所述旋转控制环(75)套在所述落锤本体(71)外,并与所述落锤本体(71)外周面间隙配合,用于控制所述左伸缩组件(72)和所述右伸缩组件(73)伸入所述第一通孔或远离所述第一通孔。
4.根据权利要求3所述的自由落体冲击传感器标定装置,其特征在于:所述左伸缩组件(72)包括左伸缩块和两个左弹簧(74);
所述左伸缩块的外立面为圆弧立面,所述左伸缩块的内立面中部设有左凸起;所述左凸起上设有与所述丝杠(6)配合的螺纹;所述左滑槽的槽底中部设有供所述左凸起穿过的第二通孔;
所述左弹簧(74)设置在所述左伸缩块与所述左滑槽的槽底之间;两个所述左弹簧(74)分别位于所述左凸起的上下两侧;
所述右伸缩组件(73)包括右伸缩块和两个右弹簧(70);
所述右伸缩块的外立面为圆弧立面,所述右伸缩块的内立面中部设有右凸起;所述右凸起上设有与所述丝杠(6)配合的螺纹;所述右滑槽的槽底中部设有供所述右凸起穿过的第三通孔;
所述右弹簧(70)设置在所述右伸缩块与所述右滑槽的槽底之间;两个所述右弹簧(70)分别位于所述右凸起的上下两侧;
所述左凸起和所述右凸起分别伸入所述第二通孔和所述第三通孔时,所述左伸缩块、所述右伸缩块和所述落锤本体(71)形成一个完整的圆周面。
5.根据权利要求4所述的自由落体冲击传感器标定装置,其特征在于:所述旋转控制环(75)的内壁上设置有分别与所述左伸缩块和所述右伸缩块对应的左凹槽与右凹槽;
所述左凹槽和所述右凹槽的宽度分别大于所述左伸缩块和所述右伸缩块的宽度,且所述左凹槽和所述右凹槽的两侧侧壁分别向所述旋转控制环(75)的内壁平滑过渡。
6.根据权利要求5所述的自由落体冲击传感器标定装置,其特征在于:还包括定位珠(81);
所述旋转控制环(75)上设有与所述定位珠(81)匹配的定位螺纹孔。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西北核技术研究所,未经西北核技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202210979641.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。