[发明专利]一种显影液及其应用在审

专利信息
申请号: 202210967040.8 申请日: 2022-08-11
公开(公告)号: CN115981117A 公开(公告)日: 2023-04-18
发明(设计)人: 唐邦文;苏晓明 申请(专利权)人: 武汉梵佳鑫科技有限公司
主分类号: G03F7/32 分类号: G03F7/32
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区关东园路*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 一种 显影液 及其 应用
【说明书】:

本发明涉及G03F7,更具体地,本发明涉及一种显影液及其应用。显影液的原料包括有机碱、无机盐、非离子表面活性剂和水。本发明所提供的显影液显影时间快,显影效果好,不伤产品底材,不影响产品图形区域,环保、易于处理。本发明提供的显影液尤其适用于基于玻璃、金属、硅片、半导体、金属传感器、金属薄膜电晶体、Metal OLED、Metal LCD等工件的光刻胶的显影处理。

技术领域

本发明涉及G03F7,更具体地,本发明涉及一种显影液及其应用。

背景技术

显影液是重要的电子化学领域的溶剂,用于溶解曝光处理后的光刻胶的可溶解区域。

专利号CN101657761B的专利提供了一种光刻胶显影液,加入钠离子和钾离子的总浓度为10ppm以下的阴离子表面活性剂,防止厚度在3μm以上的胶层产生浮渣。专利号CN107357140B的专利提供了一种正性光刻胶用显影液及其应用,加入金属保护剂多羟基羧酸钠盐,降低了光刻胶的残留量。

可见,显影液的质量,对电子产品的质量有着极大的影响,然而现有技术常常是从光刻胶出发,探究其产生浮渣的量以及光刻胶的残留量,并未探究在清洗时,产生的泡沫的多少对清洗工艺的稳定性的影响,以及其对于显影图案的影响。

发明内容

为了解决上述问题,本发明第一个方面提供了一种显影液,所述显影液的原料包括有机碱、无机盐、非离子表面活性剂和水。

优选的,显影液的原料包括0.8-1.1重量份有机碱、0.3-0.5重量份无机盐、0.5-0.6重量份非离子表面活性剂和97.8-98.4重量份水。

作为本发明一种优选的技术方案,所述有机碱为季铵碱。

作为本发明一种优选的技术方案,所述季铵碱选自四甲基氢氧化铵、2-羟基-N,N,N-三甲基乙铵、甲基三乙基氢氧化铵的一种或多种。

优选的,季铵碱为四甲基氢氧化铵。

作为本发明一种优选的技术方案,所述无机盐选自碳酸钠、硼酸钾、碳酸钾、硅酸钠的一种或多种。

作为本发明一种优选的技术方案,所述无机盐包括碳酸钠和硼酸钾,无机盐中,碳酸钠和硼酸钾的重量比为(0.05-0.2):(0.2-0.5)。

进一步优选的,无机盐中,碳酸钠和硼酸钾的重量比为(0.05-0.2):0.3。

更进一步优选的,无机盐中,碳酸钠和硼酸钾的重量比为0.1:0.3。

作为本发明一种优选的技术方案,所述碳酸钠为轻质碳酸钠和/或重质碳酸钠。

优选的,所述碳酸钠为重质碳酸钠。

加入重质碳酸钠,并控制碳酸钠和硼酸钾的重量比为(0.05-0.2):(0.2-0.5),在保证显影效果的同时,降低了四甲基氢氧化铵的用量,使得显影液更为环保,同时还降低了由于金属离子的高活性而产生的可动离子玷污(MIC),保持半导体器件的工作稳定性。这可能是由于,重质碳酸钠晶形结构更为致密,分子间的空隙极小,在和四甲基氢氧化铵以及硼酸钾作用时,由于晶形结构的空隙局限,限制了金属离子的迁移移动的同时,保证体系物质之间的良好结合力,促进了四甲基氢氧化铵的作用,从而在保证显影效果的同时,降低了四甲基氢氧化铵的用量,并见笑了MIC现象对半导体器件的损伤。

作为本发明一种优选的技术方案,所述非离子表面活性剂包括酰胺类非离子表面活性剂和醚类非离子表面活性剂。

优选的,非离子表面活性剂中,酰胺类非离子表面活性剂和醚类非离子表面活性剂的重量比为(0.13-0.2):(0.25-0.4)。

进一步优选的,非离子表面活性剂中,酰胺类非离子表面活性剂和醚类非离子表面活性剂的重量比为0.17:0.37。

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