[发明专利]高分散性银粉的制备方法

说明书

本发明公开一种高分散性银粉的制备方法，通过原料预备含银的溶液A和还原剂配制成的溶液B经氧化还原反应生成，本制备方法原料预备和/或氧化还原反应的溶液体系中添加有表面处理剂C2，其中：所述表面处理剂C2为含甲基硅氧基官能团的物质。本发明采用含有甲基硅氧基官能团作为分散剂，可包覆在银粉表面，制备所得的银粉分散性好，分布均匀，工艺简单，反应过程可控，成本较低，在常温条件下即可制备高分散性银粉。

技术领域

本发明涉及银粉制备技术领域，具体为一种高分散性银粉的制备方法。

背景技术

超细银粉是电气和电子工业的重要材料，是电子工业中应用相当广泛的一种贵金属粉末,银粒因其特殊的结构，使之产生小尺寸效应、量子尺寸效应、表面效应和宏观量子隧道效应，从而具有传统材料所不具备的物理、化学性质。银粒子在表面增强拉曼光谱、表面增强共振散射光谱、分子生物学、超分子体系等领域占有极为重要的地位，是基础理论研究的重要材料之一。

现有技术的不足：

现有银粉在应用浆料中的分散性欠佳，致使浆料中有机载剂浸润分散导电相所需的时间较长，研磨分散的效果欠佳，得到的浆料并不能完全符合光伏太阳能、片式电阻、片式电容、5G天线等下游产品的制备技术和性能要求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种高分散性银粉的制备方法，以解决上述背景技术中提出的问题。

一种高分散性银粉的制备方法，通过原料预备含银的溶液A和还原剂配制成的溶液B经氧化还原反应生成，本制备方法原料预备和/或氧化还原反应的溶液体系中添加有表面处理剂C2，其中：所述表面处理剂C2为含甲基硅氧基官能团的物质，甲基硅氧基官能团的结构式为：

作为本发明的进一步改进，所述表面处理剂C2可以为亲水性表面处理剂C21和/或疏水性表面处理剂C22，其中表面处理剂C2包括聚醚改性硅氧烷、有机硅大分子单体聚硅氧烷、芳烷基改性聚硅氧烷、聚酯改性聚硅氧烷和有机硅氧烷的任意一种或两种以上；所述亲水性表面处理剂C21添加在原料预备的溶液体系中；所述原料预备的溶液体系包括含银的溶液A和/或还原剂配制成的溶液B。

作为本发明的进一步改进，所述溶液体系中还可添加有疏水性表面处理剂C12，所述疏水性表面处理剂C12包括C6～C22饱和脂肪酸、C6～C22非饱和脂肪酸、C6～C22酯类、C6～C22胺类、C6～C22脂肪胺类、C6～C22脂肪酰胺类中的任意一种或几种。

作为本发明的进一步改进，还可将所述疏水性表面处理剂C22和/或所述疏水性表面处理剂C12预处理呈束胶型乳液状后，添加到所述溶液体系中。

作为本发明的进一步改进，所述疏水性表面处理剂C22和/或疏水性表面处理剂C12预处理包括以下步骤：将疏水性表面处理剂C22和/或疏水性表面处理剂C12在加热状态下溶解于有机溶剂中，然后添加适量热水，采用均化器处理相应时长，形成束胶型乳液；

其中预处理过程中加热温度和热水均控制温度为30-100℃，均化器处理速率1000-30000r/min。

作为本发明的进一步改进，所述含银的溶液A包括银氨溶液、Ag₂O悬浮液或Ag₂CO₃悬浮液，其中：

银氨溶液是将硝酸银与氨水、乙二胺四乙酸及其钠盐等反应得到；

Ag₂O悬浮液是将硝酸银与去离子水配制而成的溶液，与含有氢氧根的溶液反应得到，反应化学方程式为：2AgNO₃+2OH^-＝Ag₂O↓+H₂O+2NO₃^-；