[发明专利]一种晶圆键合强度的检测装置在审
| 申请号: | 202210923080.2 | 申请日: | 2022-08-02 |
| 公开(公告)号: | CN115938965A | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
| 发明(设计)人: | 马双义;王晨 | 申请(专利权)人: | 拓荆键科(海宁)半导体设备有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 徐迪 |
| 地址: | 314499 浙江省嘉兴*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 晶圆键合 强度 检测 装置 | ||
1.一种晶圆键合强度的检测装置,其特征在于,包括:
相机,设置于晶圆的上方,用于获取所述晶圆的正面图像;
光源,设置于所述晶圆的下方,用于向所述晶圆的背面提供光照;以及
透镜组件,设置于所述光源和所述晶圆之间,用于扩散所述光源在所述晶圆的背面的光照范围。
2.如权利要求1所述的检测装置,其特征在于,所述透镜组件包括第一透镜组件、匀光器件和第二透镜组件,其中所述第一透镜组件将所述光源的原始光线汇聚至所述匀光器件的入口端,所述第二透镜组件对所述匀光器件的出口端输出的窄束光线进行扩束并将其引导至所述晶圆的背面。
3.如权利要求2所述的检测装置,其特征在于,所述第一透镜组件包括第一透镜和第二透镜,所述第一透镜设置于所述第二透镜之前,对所述光源的原始光线进行准直调整以使其平行进入所述第二透镜,所述第二透镜将进入的平行光汇聚至所述匀光器件的入口端。
4.如权利要求2所述的检测装置,其特征在于,所述第二透镜组件包括第三透镜和第四透镜,所述第三透镜设置于所述第四透镜之前,对所述匀光器件的出口端输出的窄束光线进行扩散并将其引导至所述第四透镜,所述第四透镜对所述第三透镜提供的扩散光线进行准直调整,以获得平行的扩束光线并将其引导至所述晶圆的背面。
5.如权利要求2所述的检测装置,其特征在于,所述匀光器件为熔融石英导光管。
6.如权利要求1所述的检测装置,其特征在于,所述透镜组件和所述晶圆之间设有光阑,以过滤所述透镜组件扩散出的边缘杂散光。
7.如权利要求1或6所述的检测装置,其特征在于,还包括菲涅尔透镜,所述菲涅尔透镜设置于所述晶圆的背面并承托所述晶圆,以对所述透镜组件发出的扩散光线进行二次匀光。
8.如权利要求7所述的检测装置,其特征在于,还包括卡盘,所述卡盘设置于所述菲涅尔透镜上,用于固定所述晶圆。
9.如权利要求1所述的检测装置,其特征在于,所述相机和其镜头之间包括滤光片。
10.如权利要求1所述的检测装置,其特征在于,还包括插刀组件,用以给所述晶圆插刀,以获得待检测的插刀后的所述晶圆。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





