[发明专利]电子管芯测试器件和方法

说明书

本公开的实施例涉及电子管芯测试器件和方法。存储器单元包括具有半导体区和绝缘区的衬底。第一绝缘层在衬底上延伸。相变材料层位于第一绝缘层上。存储器单元还包括具有导电轨的互连网络。延伸穿过所述第一绝缘层的第一导电通孔的第一端与所述相变材料层接触，并且所述第一导电通孔的第二端与所述半导体区接触。延伸穿过第一绝缘层的第二导电通孔的第一端与相变材料层和导电轨两者接触，并且第二导电通孔的第二端仅与绝缘区接触。

优先权要求

本申请要求于2021年7月30日提交的法国专利申请No.2108320的优先权，该申请的全部内容在法律允许的最大程度上通过引用结合于此。

技术领域

本发明大体上涉及存储器装置，并且更明确地说，涉及相变存储器单元。

背景技术

相变材料是在热的作用下可以在晶相和非晶相之间转换的材料。由于非晶材料的电阻显著大于相同材料的结晶相的电阻，因此这种现象用于定义两个存储状态，例如逻辑0和逻辑1，这两个存储状态由通过相变材料测量的电阻区分。用于制造存储器的最常见的相变材料是由锗、锑和碲构成的合金。

在本领域中需要解决已知相变存储器的全部或一些缺点。

发明内容

一个实施例提供一种存储器单元，包括：包括半导体区和绝缘区的衬底；第一绝缘层和位于第一绝缘层上的相变材料的第二层，第一绝缘层由第一和第二导电通孔穿过，第一导电通孔通过一端与第一层接触并且通过另一端与半导体区接触，第二导电通孔通过一端与第一层以及覆盖第一层的互连网络的导电轨接触并且通过另一端仅与绝缘区接触。

另一实施例提供一种制造存储器单元的方法，包括：a)形成包括半导体区和绝缘区的衬底；b)形成由第一和第二导电通孔穿过的第一绝缘层；以及c)形成位于所述第一绝缘层上的相变材料的第二层，所述第一导电通孔通过一端与所述第一层接触并且通过另一端与所述半导体区接触，所述第二导电通孔通过一端与所述第一层以及覆盖所述第一层的互连网络的导电轨接触并且通过另一端仅与所述绝缘区接触。

根据实施例，半导体区是晶体管的源极区或漏极区。

根据实施例，第二层由第三绝缘层覆盖。

根据一个实施例，第二层的高度低于导电轨的高度。

根据一个实施例，导电轨和第二层由绝缘材料的一部分隔开。

根据实施例，第二层至少部分地处于结晶状态。

根据一个实施例，该方法包括在步骤c)之后的在第二层上形成互连网络的步骤d)。

根据实施例，该方法包括在步骤c)和d)之间的在第二层上形成保护层的步骤c1)。

根据一个实施例，该方法包括在步骤d)之前蚀刻保护层，以便在第二层的侧面上形成隔离物。

另一实施例提供一种存储器阵列，其包括多个如前所述的存储器单元。

根据一个实施例，存储器阵列包括具有部分地处于非晶态的第二层的至少一个单元。

附图说明

现在将参考附图仅以举例的方式描述一个或多个实施例，其中：

在图1中示出了根据一个实施例的两个相变存储器单元；

图2示意性地示出了图1的实施例的不同部件的布置；

图3示出了制造图1的实施例的方法的实施例的步骤；

图4示出了制造图1的实施例的方法的实施例的另一步骤；

图5示出了制造图1的实施例的方法的实施例的另一步骤；