[发明专利]电子管芯测试器件和方法

权利要求书

1.一种存储器单元，包括：

衬底，包括半导体区和绝缘区；

第一绝缘层，在所述衬底上；

第一导电通孔和第二导电通孔，穿过所述第一绝缘层；

相变材料层，位于所述第一绝缘层上；以及

互连网络，包括导电轨；

其中所述第一导电通孔的第一端与所述相变材料层接触，并且所述第一导电通孔的第二端与所述半导体区接触；以及

其中所述第二导电通孔的第一端与所述相变材料层和所述导电轨两者接触，并且其中所述第二导电通孔的第二端仅与所述绝缘区接触。

2.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述半导体区是晶体管的源极区或漏极区。

3.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述互连网络包括第二绝缘层，并且其中所述导电轨穿过所述第二绝缘层。

4.根据权利要求3所述的存储器单元，其中所述第二绝缘层的厚度大于所述相变材料层的厚度，并且其中所述第二绝缘层覆盖所述相变材料层。

5.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述相变材料层的厚度小于所述导电轨的厚度。

6.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述导电轨和所述相变材料层被绝缘材料的一部分分离。

7.根据权利要求1所述的存储器单元，其中所述相变材料层至少部分处于结晶状态。

8.一种存储器阵列，包括：多个存储器单元，其中每个存储器单元包括根据权利要求1所述的存储器单元。

9.根据权利要求8所述的存储器阵列，其中所述多个存储器单元中的至少一个存储器单元具有部分处于非晶状态的所述相变材料层。

10.一种制造存储器单元的方法，包括：

a)形成在衬底中的半导体区和绝缘区；

b)形成在所述衬底上方的第一绝缘层；

c)形成穿过所述第一绝缘层的第一导电通孔和第二导电通孔；

d)形成位于所述第一绝缘层上的相变材料层；以及

e)形成包括导电轨的互连网络；

其中，所述第一导电通孔的第一端与所述相变材料层接触，并且所述第一导电通孔的第二端与所述半导体区接触；以及

其中所述第二导电通孔的第一端与所述相变材料层和所述导电轨两者接触，并且其中所述第二导电通孔的第二端仅与所述绝缘区接触。

11.根据权利要求10所述的方法，其中所述半导体区是晶体管的源极区或漏极区。

12.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：用第二绝缘层覆盖所述相变材料层，其中所述相变材料层的厚度小于所述导电轨的厚度。

13.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：通过绝缘材料的一部分将所述导电轨与所述相变材料层横向分离。

14.根据权利要求10所述的方法，其中所述相变材料层至少部分处于结晶状态。

15.根据权利要求10所述的方法，其中步骤d)进一步包括：形成在所述相变材料层上的保护层。

16.根据权利要求15所述的方法，包括：在步骤e)之前蚀刻所述保护层以在所述相变材料层的侧面上形成间隔物。