[发明专利]基于6-羟基-2-萘甲酸衍生物液晶高分子制备及用途

权利要求书

1.基于6-羟基-2-萘甲酸衍生物液晶高分子，其特征在于结构如式Ⅰ所示：

以上结构式中n为75～100。

2.权利要求1所述的基于6-羟基-2-萘甲酸衍生物液晶高分子的制备方法，其特征在于：包括如下四个步骤：

1)4’-羟基联苯-4-羧酸衍生物M的合成：将4’-羟基联苯-4-羧酸和醋酸酐以物质的量之比为1:1.2的配比、0.10～0.20倍的4’-羟基联苯-4-羧酸的物质的量的对甲基苯磺酸投入到反应容器中，用乙酸乙酯作为反应溶剂，反应体系中持续通入惰性气体保护；将反应混合物加热至75℃，并保持良好搅拌反应3h后，停止反应，倒入去离子水中，即有白色晶体析出，将白色结晶物用去离子水洗涤两遍后干燥2h，得到4’-羟基联苯-4-羧酸衍生物M，其结构式如式Ⅱ所示：

2)6-羟基-2-萘甲酸衍生物N的合成：将6-羟基-2-萘甲酸和醋酸酐以物质的量之比为1:1.2的配比、0.10～0.20倍的6-羟基-2-萘甲酸的物质的量的对甲基苯磺酸投入到反应容器中，用乙酸乙酯作为反应溶剂，反应体系中持续通入惰性气体保护；将反应混合物加热至75℃，并保持良好搅拌反应3h后，停止反应，倒入去离子水中，即有白色晶体析出，将白色结晶物用去离子水洗涤两遍后干燥2h，得到6-羟基-2-萘甲酸衍生物N，其结构式如式Ⅲ所示：

3)液晶高分子粗品的合成：4’-羟基联苯-4-羧酸衍生物M和6-羟基-2-萘甲酸衍生物N按物质的量之比为1.0:(1.0～1.2)加入反应器中，通入惰性气体保护，在催化剂的作用下，200～230℃下搅拌反应3～5小时后以1.0～3℃/min的升温速度升到250～300℃，继续反应2～3h，停止反应，得到液晶高分子粗品；

4)液晶高分子粗品的纯化：惰性气体保护下液晶高分子粗品冷却后，加入适量的氯仿，浸泡2～5小时后离心，取上层清液逐滴加入到甲醇中，析出固体，过滤得到白色固体，用甲醇洗涤白色固体3次后将所得到的固体在60℃～70℃下真空干燥2～3小时，得到一种纯化的基于6-羟基-2-萘甲酸衍生物液晶高分子P。

3.根据权利要求2所述的基于6-羟基-2-萘甲酸衍生物液晶高分子的制备方法，其特征在于所述步骤3)中的催化剂为四正丁基锗、二羧乙基三氧化二锗、单丁基氧化锡、二月桂酸二正丁基锡中的一种，用量为4’-羟基联苯-4-羧酸衍生物M和6-羟基-2-萘甲酸衍生物N总质量的0.10％～0.45％。

4.权利要求2所述的基于6-羟基-2-萘甲酸衍生物液晶高分子的制备方法，其特征在于所述步骤1、2、3、4)中所述的惰性气体为氮气、氦气、氖气、氩气中的一种。

5.权利要求2所述的基于6-羟基-2-萘甲酸衍生物液晶高分子的制备方法的用途为：以该液晶高分子作为液晶分子，以丙烯酸甲酯作为添加剂，制备液晶材料；其特征如下：将一种基于6-羟基-2-萘甲酸衍生物的液晶高分子P与丙烯酸甲酯按照质量比10:(1～2)加入到样品瓶中，搅拌加热至140℃～200℃，保持30～60分钟后蘸取少量样品涂抹在载玻片上，再紧密盖上一层载玻片使之形成三明治结构，自然冷却至室温，制得液晶材料G。