[发明专利]一种立式氧化炉的硅质保温桶

说明书

本发明公开了一种立式氧化炉的硅质保温桶，包括底座、顶座以及至少三个垂直安装在底座和顶座之间的沟棒，底座和顶座之间设有若干个鳍片，沟棒上设有若干组沿着保温桶高度方向设置的容纳槽，其中，两个沟棒之间设有供鳍片插入容纳槽的开口，至少一个沟棒上设有将若干个容纳槽相连通的排水槽，底座上设有用于安装带有排水槽的沟棒，承载件上设有接收水珠的聚水槽，聚水槽与外界连通设有排水管，通过开口将鳍片插接至容纳槽内，便于鳍片的安装，利用沟棒上的排水槽将鳍片上凝结的水珠引流至承载件的聚水槽中，然后通过排水管将水向外排出，防止水珠穿过底座以及工艺门与元器件接触，进而造成元器件的损坏，实现了对元器件的保护。

技术领域

本发明涉及半导体立式炉的保温装置技术领域，特别地，涉及一种立式氧化炉的硅质保温桶。

背景技术

立式炉是用于半导体硅片加工的一种工艺设备。硅片加工是一种非常精密的工艺，温度是硅片加工工艺中非常重要的指标，直接影响硅片膜厚的厚度和均匀性。

为保证立式炉热反应管内温度的稳定，并提高保温效果，在立式炉内设置了保温桶。在工艺中，保温桶位于炉体热反应管的下部，用于支撑硅片载体，并且提供保温的功效。而在工艺结束后，保温桶随硅片载体下降到环境温度。

硅片在氧化炉内进行湿氧工艺时，主要的反应过程包括H2+O2→H2O和Si+H2O→SiO2+H2。反应过程中多余的或未参与反应的水蒸汽会随气流从排气管路排出，如果工艺温度较低，产生水珠过多，工艺结束后，降温过程中水珠就会从工艺门流下，给工艺门下部电缆以及各元器件造成损坏；另一方面，如果工艺温度较高，保温桶热容较小，工艺门处温度过高，就可能导致工艺门上密封各部件受热辐射而损坏。

现有的保温桶如专利号为CN103871940B所示，在保温桶内设有可拆卸的若干个鳍片，通过支柱安装在保温筒的底座上，根据不同的湿氧工艺温度需求来调整鳍片的数量。达到降低低温过程中产生的水珠以及高温工艺对设备造成的影响。此专利中的保温桶鳍片数量在进行调节时，只能够将鳍片从上到下依次取出，不能够随意的抽出其中的某一鳍片。鳍片数量较少时，鳍片主要分布在支柱的底部，这样会造成保温桶底部和顶部的温度不均衡。同时，此专利中的保温筒并不能够有效的防止水珠与工艺门以及工艺门下侧的元器件接触。

因此，如何设计一种硅质保温桶，解决水珠对工艺门下侧元器件造成损害的问题，成为本领域技术人员亟待解决的技术问题。

发明内容

为了解决背景技术中提到的至少一个技术问题，本发明的目的在于提供一种立式氧化炉的硅质保温筒，解决水珠对工艺门下侧元器件造成损坏的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种立式氧化炉的硅质保温桶，包括底座、顶座以及至少三个垂直安装在所述底座和顶座之间的沟棒，所述底座和顶座之间设有若干个鳍片，所述沟棒上设有若干组沿着保温桶高度方向设置的容纳槽，其中，两个所述沟棒之间设有供所述鳍片插入所述容纳槽的开口，至少一个所述沟棒上设有将若干个容纳槽相连通的排水槽，所述底座上至少设有一个承载件，所述承载件用于安装带有所述排水槽的沟棒，所述承载件上设有用于接收水珠的聚水槽，所述聚水槽与外界连通设有排水管。

进一步的，所述容纳槽倾斜设置且与所述底座之间夹角在5°-20°之间，所述排水槽位于容纳槽最低位置的一侧沟棒上。

进一步的，所述容纳槽中至少设有两个竖直向上延伸的限位柱，所述限位柱与所述鳍片的外缘相抵使所述鳍片与所述容纳槽的侧壁预留一间隙。

进一步的，所述承载件包括向下凹陷的安装槽，所述安装槽的底壁高于所述聚水槽的底壁，所述安装槽与所述聚水槽之间开设有供水排出的泄水口。

进一步的，所述底座上设有用于放置所述承载件的收纳槽，所述聚水槽的底壁设有若干个泄水孔，所述收纳槽的底壁设有向下贯穿的排水口，所述排水管安装于所述排水口内。