[发明专利]晶体管结构

权利要求书

1.一种晶体管结构，包含：

一基板，具有一本体；

一栅极导电区，在所述本体上方；

一栅极介电层，在所述栅极导电区和所述本体之间；以及

其特征在于还包含：

一片状渠道层，设置在所述本体和所述栅极介电层之间，其中所述片状渠道层独立于所述基板，且所述本体的掺杂浓度高于所述片状渠道层的掺杂浓度。

2.如权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于所述基板另包含在所述本体下方的一井区，且所述片状渠道层的掺杂浓度高于所述井区的掺杂浓度。

3.如权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于所述本体包括一鳍式结构，所述片状渠道层包括一第一片状渠道层和一第二片状渠道层，所述第一片状渠道层与所述鳍式结构的第一侧壁接触，以及所述第二片状渠道层与所述鳍式结构的第二侧壁接触。

4.如权利要求3所述的晶体管结构，其特征在于所述片状渠道层另包含一第三片状渠道层，其中所述第三片状渠道层是直接形成在所述鳍式结构的顶面上。

5.如权利要求3所述的晶体管结构，其特征在于另包含：

一间隔层，其中所述间隔层贴着所述第一片状渠道层以及所述第二片状渠道层。

6.如权利要求5所述的晶体管结构，其特征在于所述间隔层包含一氮化层。

7.如权利要求5所述的晶体管结构，其特征在于所述间隔层仅贴着所述第一片状渠道层的上方部份以及所述第二片状渠道层的上方部份。

8.如权利要求3所述的晶体管结构，其特征在于所述第一片状渠道层仅贴着所述鳍式结构的第一侧壁的上方部份，以及所述第二片状渠道层仅贴着所述鳍式结构的第二侧壁的上方部份。

9.如权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于另包含：

一第一导电区，其中所述第一导电区毗连所述片状渠道层和所述本体，

且所述第一导电区独立于所述基板。

10.如权利要求9所述的晶体管结构，其特征在于所述第一导电区包括一个轻度掺杂区和一重度掺杂区，且所述重度掺杂区垂直堆栈在所述轻度掺杂区上。

11.如权利要求10所述的晶体管结构，其特征在于所述轻度掺杂区和所述重度掺杂区是通过一选择性外延生长技术形成。

12.如权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于所述片状渠道层是通过一选择性外延生长技术形成。