[发明专利]一种具有光电流响应的镉配合物半导体材料及其制备方法与用途

权利要求书

1.一种具有光电流响应的镉配合物半导体材料，其特征在于，该镉配合物半导体材料的结构单元是由一个配体TTF-(4-py)、一个对苯二甲酸根以及一个Cd²⁺离子组成，其结构简式为[Cd(L)(TPA)]，分子式为C₃₄H₂₀N₄O₄S₄Cd，分子量为789.18，晶系为单斜，空间群为P2/c，晶胞参数α＝90°，β＝113.115°，γ＝90°；镉离子为六配位的几何构型，其中两个氮原子来自于配体TTF-(4-py)，四个氧原子来自于TPA^2-中的羧基氧原子；镉离子通过TTF-(4-py)配体和对二苯甲酸根连接，形成具有三维框架结构的聚合物网络；

所述结构简式中的L为配体TTF-(4-py)的缩写；

所述结构简式中的TPA为对苯二甲酸根的缩写；

所述配体TTF-(4-py)为四硫富瓦烯-四(4-吡啶)的简称。

2.一种权利要求1所述的具有光电流响应的镉配合物半导体材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

称取适量的配体TTF-(4-py)、Cd(ClO₄)₂·6H₂O、对苯二甲酸H₂TPA溶解到一定体积的N,N-二甲基甲酰胺溶液、甲醇和蒸馏水的混合溶液中，其中，N,N-二甲基甲酰胺溶液、甲醇和蒸馏水的体积比为4:1:1，溶液超声搅拌15min后，将其转移到20mL高压反应釜中，并将反应釜置于烘箱中，以0.1℃/min的速度升温到75～85℃，加热2～4天。加热结束后，同样以0.1℃/min速度将反应釜冷却至室温。将反应釜中的溶液取出并过滤，用蒸馏水和甲醇洗涤、干燥，得到黑色块状的晶体，即为所述的镉配合物半导体材料；

所述配体TTF-(4-py)、Cd(ClO₄)₂·6H₂O、对苯二甲酸物质的量的比为1:1:1；

所述参加反应的物质或溶剂均为化学纯。

3.根据权利要求1所述制备方法得到的一种镉配合物的用途，其特征在于，在室温下该镉配合物具有良好的氧化还原性能和光电流响应性能，该镉配合物作为光电流响应的半导体材，具有广泛的应用前景。