[发明专利]一种支持高功率模式的射频开关电路、芯片及其电子设备

权利要求书

1.一种支持高功率模式的射频开关电路，其特征在于由多级开关晶体管单元串联组成；每级开关晶体管单元均包括第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管，以及栅极偏置电阻和通路电阻；其中，

所述第一晶体管的栅极与所述栅极偏置电阻连接，所述栅极偏置电阻的另一端连接栅极偏置电压；所述第一晶体管的漏极与前一级开关晶体管单元中的第一晶体管的源极连接，所述第一晶体管的源极与后一级开关晶体管单元中的第一晶体管的漏极连接；

所述通路电阻的两端分别与所述第一晶体管的漏极和源极连接，所述第一晶体管的体极分别与所述第二晶体管的源极、所述第三晶体管的源极连接；所述第二晶体管的栅极与所述第一晶体管的源极连接，所述第三晶体管的栅极与所述第一晶体管的漏极连接。

2.如权利要求1所述的射频开关电路，其特征在于：

所述第二晶体管的漏极与第二电阻连接，所述第二电阻的另一端与前一级开关晶体管单元中的第一晶体管的栅极连接；

所述第三晶体管的漏极与第三电阻连接，所述第三电阻的另一端与后一级开关晶体管单元中的第一晶体管的栅极连接。

3.如权利要求2所述的射频开关电路，其特征在于：

所述第一晶体管的栅极分别与后一级开关晶体管单元中的第二电阻以及前一级开关晶体管单元中的第三电阻连接。

4.如权利要求2所述的射频开关电路，其特征在于在多级开关晶体管单元的首级中还包括第五电阻和第一电容；

所述第五电阻的一端与该级开关晶体管单元中的第一晶体管的栅极连接，另一端与所述第一电容连接；

所述第一电容的另一端连接所述第一晶体管的漏极。

5.如权利要求4所述的射频开关电路，其特征在于：

所述第一晶体管的漏极与射频开关电路的信号输入端连接。

6.如权利要求2所述的射频开关电路，其特征在于在多级开关晶体管单元的末级中还包括第六电阻和第二电容；

所述第六电阻的一端与该级开关晶体管单元中的第一晶体管的栅极连接，另一端与所述第二电容连接；

所述第二电容的另一端连接所述第一晶体管的源极。

7.如权利要求6所述的射频开关电路，其特征在于：

所述第一晶体管的源极与射频开关电路的信号输出端连接。

8.如权利要求1所述的射频开关电路，其特征在于：

每级开关晶体管单元中的所述栅极偏置电阻依次相互串联后，再与所述栅极偏置电压连接。

9.一种集成电路芯片，其特征在于包括权利要求1～8中任意一项所述的射频开关电路。

10.一种电子设备，其特征在于包括权利要求1～8中任意一项所述的射频开关电路。