[发明专利]一种基于晶圆测试系统的管控图谱偏移的方法在审
申请号: | 202210867192.0 | 申请日: | 2022-07-22 |
公开(公告)号: | CN114999954A | 公开(公告)日: | 2022-09-02 |
发明(设计)人: | 张鑫;马国海;张国栋;王娜 | 申请(专利权)人: | 江苏芯德半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L23/544 |
代理公司: | 无锡华越知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32571 | 代理人: | 苏霞 |
地址: | 210000 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 测试 系统 图谱 偏移 方法 | ||
本发明公开了一种基于晶圆测试系统的管控图谱偏移的方法,包括:预先选定晶圆上的多个标记芯片,记录多个所述标记芯片的坐标,根据晶圆上的有效芯片和标记芯片坐标设置相应的标准分bin信息,并将所述标准分bin信息导入晶圆测试系统;所述标记芯片包括对位芯片和/或Skip die。对待测晶圆进行测试,获取测试图谱;所述测试图谱记录了待测晶圆上标记芯片的位置信息;根据测试图谱中标记芯片的位置信息,获取标记芯片相应的分bin信息;将分bin信息与标准分bin信息进行对比,并根据对比结果判断测试图谱是否偏移。本发明可以有效管控图谱偏移异常情况,减少人工作业参与程度,提高生产效率。
技术领域
本发明涉及半导体检测技术领域,更具体涉及一种基于晶圆测试系统的管控图谱偏移的方法。
背景技术
晶圆(wafer)是一个圆形硅片,其上建立了许多独立的电路,单个独立电路被称为芯片(die)。
当晶圆制造完成后,需要经过晶圆测试(CP,Circuit Probing)进行筛选测试,完成晶圆测试以后,测试系统会输出一份测试图谱(map),该图谱记录了芯片在晶圆上的坐标以及该芯片的bin类别。图谱是后续工序挑选良品芯片的依据。但是由于各种原因,在输出的图谱中的芯片坐标可能会有偏移,将会引起挑选错误,将不良品作为良品流出;或者将良品作为不良品丢弃。因此,检查晶圆测试过程中是否有图谱偏移就变得十分重要。
现有技术中挑选芯片的方法基本都是人工比对,具体方法为:根据晶圆制造工艺、晶圆大小、芯片大小的不同,在测试之前先建立测试模板。同一批规格相同的晶圆共用一个测试模板。测试模板记载有晶圆大小、芯片大小、可测范围等信息。因为制造工艺的原因,晶圆上的特定位置的芯片本身就是不良的(如芯片制造不全),或者即使测试通过也因为工艺问题不能正常使用,所以不需要测试,在测试模板建立时需标记这些芯片为Skipdie。另外,晶圆制造时预置的对位芯片(Mark die)是没有正常功能的,也不需要测试,在测试模板建立时需标记这些芯片为对位芯片(Mark die)。其他的需要测试的芯片设为待测芯片(Normal die)。将待测晶圆放置于探针台上,探针台获取待测晶圆的坐标信息。然后将待测晶圆的Mark die和测试模板的Mark die一一进行人工比对,如果Mark die的坐标信息完全一致,则认为图谱没有偏移。
上述人工比对Mark die,不但繁琐、耗费人力,且容易出错误检,进而影响晶圆检测的可靠性。
因此,亟需提供一种新的晶圆测试过程管控图谱偏移的方法。
发明内容
为了解决上述问题,本发明提供了一种基于晶圆测试系统的管控图谱偏移的方法,利用该方法可以有效管控图谱偏移异常情况,减少人工作业参与程度,提高生产效率。
具体的,本发明提供了一种基于晶圆测试系统的管控图谱偏移的方法,包括:
预先选定晶圆上的多个标记芯片,记录多个所述标记芯片的坐标,根据晶圆上的有效芯片和标记芯片坐标设置相应的标准分bin信息,并将所述标准分bin信息导入晶圆测试系统;所述标记芯片包括对位芯片和/或Skip die。
对待测晶圆进行测试,获取测试图谱;所述测试图谱记录了待测晶圆上标记芯片的位置信息;
根据测试图谱中标记芯片的位置信息,获取标记芯片相应的分bin信息;
将分bin信息与标准分bin信息进行对比,并根据对比结果判断测试图谱是否偏移,具体判断方法为:
如果待测晶圆上标记芯片的分bin信息和标准分bin信息一致,则测试图谱未发生偏移;
如果待测晶圆上标记芯片的分bin信息和标准分bin信息不一致,则标记所述待测晶圆为异常晶圆,经人工异常处理后,确定测试图谱是否发生偏移。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造