[发明专利]一种植入式磁场刺激探针装置的封装方法

权利要求书

1.一种植入式磁场刺激探针装置的封装方法，其特征在于，包括：

若干个微螺线管构成微螺线管阵列，并集成在一个微米级芯片中，所述微米级芯片与其头部的尖端针头和其尾部的探针针体通过晶圆级封装工艺共同组成一个微米级探针结构；

所述微螺线管内埋在具有生物兼容性的包覆结构中；其中所述包覆结构包括N型聚对二甲苯、D型聚对二甲苯、聚二甲基硅氧烷或C型聚对二甲苯；所述微螺线管包括磁性管芯，所述磁性管芯外围缠绕有若干匝数金属走线层。

2.如权利要求1所述的植入式磁场刺激探针装置的封装方法，其特征在于，所述磁性管芯材料为FeGaB与Al₂O₃材料通过物理气相沉积交替沉积若干次所得。

3.如权利要求1所述的植入式磁场刺激探针装置的封装方法，其特征在于，所述金属走线层和所述包覆结构中的绝缘介质层构成微螺线管线圈结构，所述微螺线管线圈结构通过晶圆级再布线工艺制备，所述晶圆级再布线工艺包含旋涂聚酰亚胺树脂、溅射种子层、刻蚀负性光刻胶、电镀、湿法工序。

4.如权利要求3所述的植入式磁场刺激探针装置的封装方法，其特征在于，所述金属走线层的材料包括铜、铝或钨金属，所述绝缘介质层的材料包括聚酰亚胺树脂、堆积膜或注塑树脂。

5.如权利要求1所述的植入式磁场刺激探针装置的封装方法，其特征在于，所述金属走线层通过键合引线与供电线互连，所述键合引线采用25μm铝丝，或25μm金丝，或25μm银丝。

6.如权利要求1所述的植入式磁场刺激探针装置的封装方法，其特征在于，所述微米级探针结构适用的输入电信号为100mA、5kHz的交变电流。