[发明专利]一种电压匹配的空间用多结太阳电池及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202210859468.0 | 申请日： | 2022-07-21 |
| 公开（公告）号： | CN115172501B | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 王永涛;朱琳;刘建庆;崔恒 | 申请（专利权）人： | 中山德华芯片技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/05 | 分类号： | H01L31/05;H01L31/0224;H01L31/18;H01L31/078 |
| 代理公司： | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人： | 肖云 |
| 地址： | 528437 广东省中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电压 匹配 空间 用多结 太阳电池 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种电压匹配的空间用多结太阳电池，其特征在于：包括依次叠加的：
底电池、中电池、栅线和顶电池；
所述栅线连接有负极；
所述顶电池和底电池上设有正极；
所述底电池和中电池串联后与所述顶电池并联；
所述顶电池中设有通孔，所述负极穿过所述通孔与所述栅线相连；
所述底电池的带隙为0.4eV~0.66eV；所述底电池为Ge电池；
所述中电池的带隙为1.45eV；所述中电池包括GaInP背场、GaInAs基区、中电池GaInP发射区和中电池AlInP窗口层；
所述顶电池的带隙为2.15eV~2.2eV；顶电池包括自所述栅线开始，依次叠加的AlGaInP背场层、Ga0.65In0.35P基区、Ga0.65In0.35P本征层、Ga0.65In0.35P发射区和AlInP窗口层。
2.根据权利要求1所述的空间用多结太阳电池，其特征在于，所述空间用多结太阳电池还包括绝缘层。
3.根据权利要求2所述的空间用多结太阳电池，其特征在于，所述绝缘层设于所述空间用多结太阳电池表面，所述正极和负极之外的位置。
4.一种如权利要求1~3任一项所述的空间用多结太阳电池的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
S1、制备依次叠加的所述底电池、中电池和栅线，得外延片；
在临时衬底上生长所述顶电池；
S2、将所述外延片，所述栅线所在一侧表面和所述顶电池键合；
S3、将所述栅线和所述负极连接；
分别在所述顶电池和底电池上形成所述正极；
S4、连接外电路，形成所述底电池和中电池串联后与所述顶电池并联的连接方式。
5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：所述栅线的制备方法，包括以下步骤：涂胶、曝光、蒸镀和去胶。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述蒸镀的温度为90℃~110℃。
7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述蒸镀的时间为5h~7h。
8.根据权利要求4~7任一项所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括在步骤S2和步骤S3之间，在所述顶电池上形成通孔。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述通孔的制备方法包括刻蚀。
10.一种如权利要求1~3任一项所述的空间用多结太阳电池在空间飞行器中的应用。
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