[发明专利]一种石油井下耐高温的驱动系统在审

专利信息
申请号: 202210857311.4 申请日: 2022-07-21
公开(公告)号: CN115498924A 公开(公告)日: 2022-12-20
发明(设计)人: 侯立东;宋淑萍;石庆伟;王海滨 申请(专利权)人: 合力(天津)能源科技股份有限公司
主分类号: H02P3/02 分类号: H02P3/02;G01R31/34;H05K7/20
代理公司: 天津市尚仪知识产权代理事务所(普通合伙) 12217 代理人: 卓珉芳
地址: 300452 天津市滨*** 国省代码: 天津;12
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摘要:
搜索关键词: 一种 石油 井下 耐高温 驱动 系统
【权利要求书】:

1.一种石油井下耐高温的驱动系统,其特征在于:包括金属壳体(1)和半导体制冷片(2),所述金属壳体(1)的底部设有金属散热座(3),所述金属散热座(3)上固定有驱动电路板组件(4),所述驱动电路板组件(4)与金属散热座(3)之间导热脂层,且所述半导体制冷片(2)固定在金属散热座(3)的外侧,且所述半导体制冷片(2)的冷面与金属散热座(3)的外侧壁相接触,所述半导体制冷片(2)热面上设有用于对半导体制冷片(2)进行散热的散热风扇(5);驱动电路板组件(4)与电源输入端(6)连接;

其中所述驱动电路板组件(4)包括DC/DC转换电路(401)、LDO稳压电路(402)、电源电压采集电路(403)、电机耗能电路(404)、电机霍尔信号采集电路(405)、电机转动控制信号电路(406)、电机电流传输电路(407)、半导体制冷片控制电路(408)、主控单元(409)、三相桥驱动电路(410)、6路MOSFET桥电路(411)、电机电流采样电路(412);

所述DC/DC转换电路与电源输入端(6)连接,且DC/DC转换电路(401)经LDO稳压电路(402)与电机霍尔信号采集电路(405)、主控单元(409)连接,并为电机霍尔信号采集电路(405)、主控单元(409)进行供电;

所述主控单元(409)经三相桥驱动电路(410)与6路MOSFET桥电路(411)连接,用于对6路MOSFET桥电路(411)进行控制,所述电机电流采样电路(412)与主控单元(409)连接,且所述电机电流采样电路(412)还与电机电流传输电路(404)连接;

所述主控单元(409)经半导体制冷片控制电路(408)与半导体制冷片(2)连接,用于控制半导体制冷片(2)工作;

所述的电机耗能电路(404)与电源输入端(6)连接,用于对电机在急停情况下,产生的瞬时高压进行泄放;

所述的电源电压采集电路(403)用于对电源输入端(6)上的系统电压进行采集;

所述电机转动控制信号电路(406)、电机电流传输电路(407)均与逻辑控制终端连接。

2.根据权利要求1所述的一种石油井下耐高温的驱动系统,其特征在于,所述电机耗能电路(404)包括电压比较器U1;电阻R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、发热电阻R8、分压电阻R9;电容C1、C2;分流调节器D1、二极管D2;和MOSFET开关管Q1;

所述电阻R2的一端与电压比较器U1的1IN-引脚连接,电阻R2的另一端与分流调节器D1的阴极1引脚、电阻R1的一端的连接,所述电阻R1的另一端与电池组的负极电连接,所述分流调节器D1的阳极3引脚接地,分流调节器D1的基准电压2引脚与电阻R1的一端;

所述电阻R4的一端同时与电阻R3的一端、电压比较器U1的1IN+引脚连接;电阻R3的另一端同时与电压比较器U1的1OUT引脚、电阻R7的一端连接,所述电阻R7的另一端与电压比较器U1的2IN+引脚连接;所述电阻R4的另一端同时与电阻R5的一端、电阻R6的一端连接,所述电阻R5的另一端与二极管D2的阴极、电容C1的一端连接,电容C1的另一端、电阻R6的另一端和电压比较器U1的GND引脚同时接地,所述二极管D2的阳极与电池组的正极电连接;

所述电容C2的一端与电压比较器U1的Vcc引脚连接;所述发热电阻R8的一端则分别于电压比较器U1的2OUT引脚、2IN引脚连接,所述发热电阻R8的另一端与MOSFET开关管Q1的G极、分压电阻R9的一端连接,所述分压电阻R9R9的另一端接地,所述MOSFET开关管Q1的S极接地,所述述MOSFET开关管Q1的D极接入加载电压。

3.根据权利要求2所述的一种石油井下耐高温的驱动系统,其特征在于,所述电机耗能电路(404)的工作方式是,通过电压比较器U1对电源输入端(6)中的电压进行采集,并与电压比较器U1设定的电压进行比较,其中通过电压比较器U1上的分别于1IN+引脚连接的电路对电源输入端(6)上的电压进行采集,通过1IN-引脚对参考电压进行采集,当电机停机时,则电源输入端(6)产生反电动势,当反电动势产生的电压值高于设计的参考电压值时,则控制MOSFET的导通,将能量通过发热电阻R8释放。

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