[发明专利]功率晶体管在审
| 申请号： | 202210857240.8 | 申请日： | 2022-07-20 |
| 公开（公告）号： | CN115084239A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 陈文高;杨东林;刘侠;潘志胜 | 申请（专利权）人： | 苏州迈志微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10;H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京中知法苑知识产权代理有限公司 11226 | 代理人： | 李明;赵吉阳 |
| 地址： | 215010 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 晶体管 | ||
1.一种功率晶体管，其特征在于，包括：
衬底；
第一外延层，设置于所述衬底之上；
第二外延层，设置于所述第一外延层之上；
多个第一体区，设置于所述第二外延层内，从自上而下的俯视图方向来看，所述多个第一体区中的一部分第一体区平行于横向方向设置，所述多个第一体区中的另一部分体区平行于纵向方向设置，其中，所述纵向方向与所述横向方向相互垂直；
多个第二体区，设置于所述多个第一体区中的所述一部分第一体区上方，并且所述多个第二体区的上表面与所述第二外延层的上表面齐平；
其中，所述多个第一体区中的所述另一部分第一体区在所述功率晶体管应用时处于浮置状态，形成为至少一个浮置第一体区。
2.如权利要求1所述的功率晶体管，其特征在于，所述多个第一体区中的所述另一部分第一体区上方设置有对应的第二体区，所述多个第一体区中的所述另一部分第一体区和所述对应的第二体区在所述功率晶体管应用时两者都处于浮置状态，分别形成为至少一个浮置第一体区和至少一个浮置第二体区。
3.如权利要求2所述的功率晶体管，其特征在于，所述对应的浮置第二体区被栅极多晶硅覆盖，并且没有设置重掺杂区、通孔和金属连接。
4.如权利要求2所述的功率晶体管，其特征在于，所述多个第一体区中的所述一部分第一体区以及位于其上方的所述多个第二体区在所述功率晶体管应用时处于非浮置状态，分别形成为多个非浮置第一体区和多个非浮置第二体区，其中，所述非浮置第二体区内设置有第一重掺杂区和第二重掺杂区。
5.如权利要求4所述的功率晶体管，其特征在于，所述浮置第一体区和相邻的所述非浮置第一体区在横向方向的间距和相邻的两个非浮置第一体区在纵向方向的间距相同。
6.如权利要求1所述的功率晶体管，其特征在于，所述至少一个浮置第一体区的上表面与所述第二外延层齐平，并且所述至少一个浮置第一体区上方未设置第二体区。
7.如权利要求4所述的功率晶体管，其特征在于，所述浮置第二体区的注入窗口和所述非浮置第二体区的注入窗口大小相同。
8.如权利要求4所述的功率晶体管，其特征在于，所述浮置第二体区的注入窗口和所述非浮置第二体区的注入窗口大小不相同。
9.如权利要求4所述的功率晶体管，其特征在于，所述浮置第一体区和所述非浮置体区都在所述第二外延层内，且分别与所述第二外延层交替排列。
10.如权利要求4所述的功率晶体管，其特征在于，所述衬底，所述第一外延层、所述第二外延层和所述第二重掺杂区均具有第一导电类型。
11.如权利要求4所述的功率晶体管，其特征在于，所述第一体区，所述第二体区和所述第一重掺杂区都具有第二导电类型。
12.一种电子设备，包括至少部分地由如权利要求1至11中任意一项所述的功率晶体管形成的集成电路。
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