[发明专利]存储器装置、具有存储器装置的存储器系统及其操作方法在审
申请号: | 202210833371.2 | 申请日: | 2022-07-14 |
公开(公告)号: | CN115938420A | 公开(公告)日: | 2023-04-07 |
发明(设计)人: | 郑在祐;金用勳;崔宰珉;成侑昶;兪昌植 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C11/34 | 分类号: | G11C11/34;G11C7/22 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 方成;张川绪 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 装置 具有 系统 及其 操作方法 | ||
提供了存储器装置、具有存储器装置的存储器系统及其操作方法。所述存储器装置包括:第一排,具有第一存储器存储体和第一四偏移调整电路;和第二排,具有第二存储器存储体和第二四偏移调整电路,其中,第一四偏移调整电路和第二四偏移调整电路中的每个被配置为:通过第一通道接收4相位时钟;检测4相位时钟的内部四偏移;根据检测的四偏移来校正4相位时钟的偏移;和通过第二通道输出与检测的四通道偏移对应的模式寄存器信息。
本申请要求于2021年7月28在韩国知识产权局提交的第10-2021-0099467号韩国专利申请、于2021年11月30日在韩国知识产权局提交的第10-2021-0168429号韩国专利申请和于2022年2月23日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0023402号韩国专利申请的权益和优先权,所述韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及存储器装置。
背景技术
可在移动电子装置中使用面向移动的半导体存储器装置(诸如,低功率双倍数据速率同步动态随机存取存储器(LPDDR SDRAM)、动态随机存取存储器(DRAM)等)。当应用处理器(AP)作为多个核中的一个被安装在移动电子装置中时,半导体存储器装置(诸如,LPDDR、DRAM等)可被用作AP的工作存储器。
发明内容
本发明构思的一个方面是提供有效地管理四偏移的存储器系统及其操作方法。
根据本发明构思的一个方面,一种存储器装置可包括:第一排,具有第一存储器存储体和第一四偏移调整电路;和第二排,具有第二存储器存储体和第二四偏移调整电路,其中,第一四偏移调整电路和第二四偏移调整电路中的每个被配置为:通过第一通道接收4相位时钟,检测4相位时钟的内部四偏移,根据检测的四偏移来校正4相位时钟的偏移,和通过第二通道输出与检测的四偏移对应的模式寄存器信息。
根据本发明构思的一个方面,一种包括多排存储器装置和被配置为控制所述多排存储器装置的控制器的系统的操作方法可包括以下操作:检测由所述多排存储器装置的多个排通过第一通道从所述控制器接收的4相位时钟的内部四偏移;由排根据检测的内部四偏移来校正4相位时钟的第一偏移;和由所述控制器使用模式寄存器信息来调整4相位时钟的第二偏移,模式寄存器信息与内部四偏移对应并且由所述控制器通过第二通道从排接收。
根据本发明构思的一个方面,一种存储器系统可包括:存储器装置,调整4相位时钟的第一四偏移;和控制器,用于控制存储器装置,并且控制4相位时钟的第二四偏移,其中,存储器装置包括:第一排,通过第一通道从控制器接收4相位时钟,检测4相位时钟的第一内部四偏移,存储与第一内部四偏移对应的第一模式寄存器信息,和通过第二通道将第一模式寄存器信息输出到控制器;和第二排,通过第一通道接收4相位时钟,检测4相位时钟的第二内部四偏移,存储与第二内部四偏移对应的第二模式寄存器信息,和通过第二通道将第二模式寄存器信息输出到控制器。
附图说明
从以下结合附图的详细描述,将更加清楚地理解本公开的上面和其他方面、特征和其他优点,其中:
图1是示出根据本发明构思的示例实施例的存储器系统的示图;
图2是示出根据本发明构思的示例实施例的存储器系统的四偏移去除(quad-skewremoval)的示图;
图3A、图3B和图3C是示出根据本发明构思的示例实施例的根据存储器系统中的四偏移检测的四偏移方法的示图;
图4A和图4B是示出四偏移监测器及其输入时钟的示图;
图5是示出根据本发明构思的示例实施例的四偏移校正器的示图;
图6是示出根据本发明构思的示例实施例的四偏移调整器的示图;
图7是示出根据本发明构思的示例实施例的操作存储器系统的方法的流程图;
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