[发明专利]使用基带终止的T型匹配拓扑

说明书

本公开涉及使用基带终止的T型匹配拓扑。RF放大器和封装式RF放大器装置的实施例各自包括具有晶体管管芯的放大路径，以及具有T型匹配电路拓扑的输出侧阻抗匹配电路。所述输出侧阻抗匹配电路包括连接在晶体管输出端与准RF冷点节点之间的第一电感元件，连接在所述准RF冷点节点与所述放大路径的输出之间的第二电感元件，以及连接在所述准RF冷点节点与接地参考节点之间的第一电容。所述RF放大器和装置还包括连接到所述准RF冷点节点的基带终止电路，所述基带终止电路包括串联在所述准RF冷点节点与所述接地参考节点之间的第三电感元件、电阻器和第二电容，以及在基带终止电路节点与所述接地参考节点之间的第三电容。

技术领域

本文所公开的各种实施例涉及使用基带终止的T型匹配拓扑。

背景技术

无线通信系统采用功率放大器来增加射频(RF)信号功率。例如， 在蜂窝基站中，在将放大后信号提供到天线以通过空中接口进行辐射之 前，多尔蒂(Doherty)功率放大器可以在传输链中形成最终放大级的一 部分。高增益、高线性度、稳定性以及高水平的功率附加效率是这种无 线通信系统中的期望功率放大器所特有的。

在功率放大器装置设计领域中，实现并发多频带、宽带放大变得越 来越令人期待。例如，为了成功地设计出用于多尔蒂功率放大器电路的 并发多带、宽带操作的宽带功率放大器装置，期望能够实现良好的宽带 基本匹配(例如，超过20％的分数带宽)以适当地处理谐波频率交互并 且实现宽基带终止。然而，实现这些目标不断给功率放大器装置设计者 带来挑战。

发明内容

根据本发明的第一方面，提供一种具有第一放大路径的射频(RF) 放大器，包括：

晶体管管芯，其具有晶体管和晶体管输出端；

输出侧阻抗匹配电路，其具有耦合在所述晶体管输出端与所述第一 放大路径的输出之间的T型匹配电路拓扑，其中所述输出侧阻抗匹配电 路包括

第一电感元件，其连接在所述晶体管输出端与准RF冷点节点之间，

第二电感元件，其连接在所述准RF冷点节点与所述第一放大路径 的所述输出之间，以及

第一电容，其连接在所述准RF冷点节点与接地参考节点之间；以 及

基带终止电路，其连接到所述准RF冷点节点，其中所述基带终止 电路包括多个部件，其中所述多个部件包括串联在所述准RF冷点节点 与所述接地参考节点之间的第三电感元件、电阻器和第二电容以及在基 带终止电路节点与所述接地参考节点之间的第三电容，其中所述基带终 止电路节点在所述第三电感元件与所述电阻器之间。

在一个或多个实施例中，所述第一电感元件包括第一多个键合线； 并且

所述第二电感元件包括第二多个键合线。

在一个或多个实施例中，所述RF放大器另外包括：

低频终止电路，其包括串联连接在所述基带终止电路节点与所述接 地参考节点之间的第四电感元件和第四电容。

在一个或多个实施例中，所述低频终止电路在小于500MHz的频率 下谐振。

在一个或多个实施例中，所述RF放大器另外包括：

谐波陷波电路，其包括串联连接在所述晶体管输出端与所述接地参 考节点之间的第五电感元件和第五电容，并且所述谐波陷波电路在所述 RF放大器的基本操作频率的二次谐波频率下谐振。

在一个或多个实施例中，所述晶体管为氮化镓晶体管，所述晶体管 的漏极-源极电容低于每瓦0.2皮法。

在一个或多个实施例中，所述RF放大器为多尔蒂功率放大器，所 述多尔蒂功率放大器另外包括：

第二放大路径；