[发明专利]使用基带终止的T型匹配拓扑

权利要求书

1.一种具有第一放大路径的射频(RF)放大器，其特征在于，包括：

晶体管管芯，其具有晶体管和晶体管输出端；

输出侧阻抗匹配电路，其具有耦合在所述晶体管输出端与所述第一放大路径的输出之间的T型匹配电路拓扑，其中所述输出侧阻抗匹配电路包括

第一电感元件，其连接在所述晶体管输出端与准RF冷点节点之间，

第二电感元件，其连接在所述准RF冷点节点与所述第一放大路径的所述输出之间，以及

第一电容，其连接在所述准RF冷点节点与接地参考节点之间；以及

基带终止电路，其连接到所述准RF冷点节点，其中所述基带终止电路包括多个部件，其中所述多个部件包括串联在所述准RF冷点节点与所述接地参考节点之间的第三电感元件、电阻器和第二电容以及在基带终止电路节点与所述接地参考节点之间的第三电容，其中所述基带终止电路节点在所述第三电感元件与所述电阻器之间。

2.根据权利要求1所述的RF放大器，其特征在于：

所述第一电感元件包括第一多个键合线；并且

所述第二电感元件包括第二多个键合线。

3.根据权利要求1所述的RF放大器，其特征在于，另外包括：

低频终止电路，其包括串联连接在所述基带终止电路节点与所述接地参考节点之间的第四电感元件和第四电容。

4.根据权利要求3所述的RF放大器，其特征在于，所述低频终止电路在小于500MHz的频率下谐振。

5.根据权利要求3所述的RF放大器，其特征在于，另外包括：

谐波陷波电路，其包括串联连接在所述晶体管输出端与所述接地参考节点之间的第五电感元件和第五电容，并且所述谐波陷波电路在所述RF放大器的基本操作频率的二次谐波频率下谐振。

6.根据权利要求1所述的RF放大器，其特征在于，所述晶体管为氮化镓晶体管，所述晶体管的漏极-源极电容低于每瓦0.2皮法。

7.根据权利要求1所述的RF放大器，其特征在于，所述RF放大器为多尔蒂功率放大器，所述多尔蒂功率放大器另外包括：

第二放大路径；

功率分配器，其具有被配置成接收RF信号的功率分配器输入、耦合到所述第一放大路径的输入的第一功率分配器输出以及耦合到所述第二放大路径的输入的第二功率分配器输出，其中所述功率分配器配置成将所述RF信号划分成通过所述第一功率分配器输出提供到所述第一放大路径的第一RF信号和通过所述第二功率分配器输出提供到所述第二放大路径的第二RF信号；以及

组合节点，其被配置成接收和组合由所述第一放大路径和所述第二放大路径产生的放大后RF信号。

8.一种封装式射频(RF)放大器装置，其特征在于，包括：

装置基板；

第一输入引线，其耦合到所述装置基板；

第一输出引线，其耦合到所述装置基板；

第一晶体管管芯，其耦合到所述装置基板，其中所述第一晶体管管芯包括第一晶体管、耦合到所述第一输入引线的晶体管输入端以及耦合到所述第一输出引线的晶体管输出端，并且其中所述第一晶体管的漏极-源极电容低于每瓦0.2皮法。

第一输出侧阻抗匹配电路，其具有耦合在所述第一晶体管输出端与所述第一输出引线之间的T型匹配电路拓扑，其中所述第一输出侧阻抗匹配电路包括

第一电感元件，其连接在所述晶体管输出端与第一准RF冷点节点之间，其中所述第一电感元件包括第一多个键合线，

第二电感元件，其连接在所述第一准RF冷点节点与所述第一输出引线之间，其中所述第二电感元件包括第二多个键合线，以及

第一电容，其连接在所述第一准RF冷点节点与接地参考节点之间；以及

基带终止电路，其连接到所述准RF冷点节点，其中所述基带终止电路包括多个部件，其中所述多个部件包括串联在所述准RF冷点节点与所述接地参考节点之间的第三电感元件、电阻器和第二电容以及在基带终止电路节点与所述接地参考节点之间的第三电容，其中所述基带终止电路节点在所述第三电感元件与所述电阻器之间。