[发明专利]一种晶圆芯片的检测方法、装置、电子设备及存储介质有效
申请号: | 202210828778.6 | 申请日: | 2022-07-15 |
公开(公告)号: | CN115020265B | 公开(公告)日: | 2022-10-11 |
发明(设计)人: | 姜允虎 | 申请(专利权)人: | 深圳微迅信息科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 刘凤 |
地址: | 518000 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 芯片 检测 方法 装置 电子设备 存储 介质 | ||
本申请提供了一种晶圆芯片的检测方法、装置、电子设备及存储介质。晶圆芯片的检测方法包括:基于预设数量的晶圆芯片在目标参数下对应的测量值组成的目标序列中的第一四分位数以及第三四分位数,确定目标参数对应的上限值以及下限值;根据目标参数对应的上限值以及下限值,对预设数量的目标参数下对应的测量值进行过滤,得到过滤后的目标参数下对应的目标测量值。本申请通过采用第一四分位数以及第三四分位数来对目标参数下对应测量值进行过滤,得到目标测量值,并基于目标测量值,筛选掉了测量值分散程度较大的没有参考意义的数据,进而提升了统计控制图的精确度,使得针对统计控制图中每个目标测量值对应的晶圆芯片的品质分析更准确。
技术领域
本申请涉及器件检测技术领域,尤其是涉及一种晶圆芯片的检测方法、装置、电子设备及存储介质。
背景技术
晶圆芯片在每一段加工工序完成之后,都需要进行相关参数的量测以判定加工工序中完成加工的品质状况,例如长晶工序之前的工序和之后的工序就分别量测晶圆长晶前的厚度和长晶后的厚度,以判定长晶是否达到工艺要求,例如蚀刻工序之后需要用电子显微镜量测芯片表面中的电路线路的宽度以判定蚀刻工序的加工品质是否合格,在常用的量测过程中,通过量测采集晶圆芯片的参数值,例如厚度以及宽度,并将采集的原始参数数据制成统计图表进行统计以及品质监控。但是,量测设备在偶发的电压不稳定、设备不稳定以及运行不稳定等特定情况下,可能会收集到特别大或者特别小的绝对异常参数值,所以,在将采集的数据用于晶元芯片的品质监控过程时,并非所有的数据都具有参考意义,因此,将全部的原始参数数据都用于统计控制图表的制作中,会导致图表所反映的对应晶圆芯片的品质分析不准确。
发明内容
有鉴于此,本申请的目的在于提供一种晶圆芯片的检测方法、装置、电子设备及存储介质,本申请可以提升对晶圆芯片的品质分析的准确性。
本申请实施例提供了一种晶圆芯片的检测方法,所述晶圆芯片的检测方法包括:
获取测试过程中预设数量的晶圆芯片在目标参数下对应的测量值;
基于所述预设数量的晶圆芯片在目标参数下对应的测量值组成的目标序列中的第一四分位数以及第三四分位数,确定所述目标参数对应的上限值以及下限值;
根据所述目标参数对应的所述上限值以及所述下限值,对预设数量的目标参数下对应的所述测量值进行过滤,得到过滤后的所述目标参数下对应的目标测量值;
基于所述预设数量的晶圆芯片在所述目标参数下对应的目标测量值,生成所述目标参数的统计控制图;所述统计控制图用于表征所述目标测量值在预设统计方式下对应的统计值随时间变化的曲线图;
基于所述目标参数的所述统计控制图,确定每个所述目标测量值对应的晶圆芯片是否为合格晶圆芯片。
进一步的,所述基于所述预设数量的晶圆芯片在目标参数下对应的测量值组成的目标序列中的第一四分位数以及第三四分位数,确定所述目标参数对应的上限值以及下限值,包括:
基于预设数量的晶圆芯片在目标参数下对应的测量值组成的目标序列中的第一四分位数以及第三四分位数,确定所述目标序列中所述目标参数对应的四分位距;
根据所述四分位距与所述第一四分位数之间的第一预设关系式,确定所述目标参数对应的下限值,以及根据所述四分位距与所述第三四分位数之间的第二预设关系式,确定所述目标参数对应的上限值。
进一步的,所述基于预设数量的晶圆芯片在目标参数下对应的测量值组成的目标序列中的第一四分位数以及第三四分位数,确定所述目标序列中所述目标参数对应的四分位距,包括:
基于预设数量的晶圆芯片在目标参数下对应的测量值组成的目标序列,计算所述目标序列中所述目标参数对应的一分位置以及三分位置;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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