[发明专利]显示面板及显示装置有效
| 申请号: | 202210809914.7 | 申请日: | 2022-07-11 |
| 公开(公告)号: | CN114883379B | 公开(公告)日: | 2022-10-28 |
| 发明(设计)人: | 陈阳;廖辉华;姜庆;宋智辉;郑浩旋 | 申请(专利权)人: | 惠科股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人: | 杨振礼 |
| 地址: | 518101 广东省深圳市宝安区石岩街道石龙社区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
本申请提供了一种显示面板及显示装置,显示面板包括弯折相连的第一弯折部及本体部,显示面板具有第一区域以及第二区域,至少部分第一区域对应第一弯折部设置,第二区域对应本体部设置,显示面板还包括多个第一发光单元及多个第二发光单元,多个第一发光单元设于第一区域,第一发光单元具有第一发光面积;多个第二发光单元设于第二区域,第二发光单元具有第二发光面积,第一发光面积小于第二发光面积,且第一区域中第一发光单元的密度大于第二区域中第二发光单元的密度。本申请提供的显示面板中,能够避免显示面板中高曲度位置容易产生边缘发绿或发紫等现象。
技术领域
本申请涉及显示技术领域,具体涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
随着光电显示技术和半导体制造技术的发展,搭配薄膜晶体管的显示器(ThinFilm Transistor,TFT) 已经越发成熟,像是薄膜晶体管式液晶显示器(Thin FilmTransistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)或是有机发光二极管显示器(Thin FilmTransistor Organic Light-Emitting Diode,TFT-OLED)都已成功量产。在厚度、色彩饱和度、对比度、柔性显示等方面,OLED显示器均具有明显的优势,OLED显示器的发展具有广阔的前景。
现有的柔性OLED显示面板广泛应用于手机类产品,且较多为高曲面产品,OLED显示面板高曲面的设计可使得手机类产品具有更大的可视区域,但在OLED显示面板中高曲度位置(平面区与弯折区交界位置)某些低灰阶下容易产生边缘发绿或发紫等Mura现象,影响整体显示效果。
发明内容
本申请的目的在于提供一种显示面板及显示装置,以解决OLED显示面板中高曲度位置某些低灰阶下容易产生边缘发绿或发紫等Mura现象的技术问题。
第一方面,本申请提供了一种显示面板,包括弯折相连的第一弯折部及本体部,所述显示面板具有第一区域以及第二区域,至少部分所述第一区域对应所述第一弯折部设置,所述第二区域对应所述本体部设置,所述显示面板还包括:
多个第一发光单元,设于所述第一区域,所述第一发光单元具有第一发光面积;
多个第二发光单元,设于所述第二区域,所述第二发光单元具有第二发光面积,所述第一发光面积小于所述第二发光面积,且所述第一区域中所述第一发光单元的密度大于所述第二区域中所述第二发光单元的密度。
本申请提供的显示面板,第一区域中第一发光单元的第一发光面积小于第二区域中第二发光单元的第二发光面积,人眼所观看到的相邻第一发光单元的之间的亮度差异比具有第二发光面积的第二发光单元的亮度差异小,且人眼所观看到的相邻第一发光单元的之间的色点的差异也比具有第二发光面积的第二发光单元的色点差异小,相邻的第一发光单元之间的亮度、色度干扰越小,进而能够避免显示面板中高曲度位置(平面区与弯折区交界位置)在某些低灰阶下容易产生边缘发绿或发紫等现象。
第一区域中第一发光单元的第一发光面积小于第二区域中第二发光单元的第二发光面积的同时,第一区域中第一发光单元的密度大于第二区域中第二发光单元的密度,可以使得第一区域中相邻第一发光单元之间的亮度、色度干扰减小的同时,保证第一区域中第一发光单元整体发光的连续性,进而提高显示面板整体发光的均匀性。
综上所述,相较于相关技术中整个面板设置同一发光面积的发光单元,本申请提供的显示面板中,第一区域的发光单元发光显示会更加的精细,更大程度的改善显示面板的混色显示差异。
其中,所述第一区域包括第一子区域及第二子区域,所述第二子区域设于所述第一子区域及所述第二区域之间,所述第一子区域对应所述第一弯折部设置,所述第二子区域与所述第二区域均对应所述本体部设置。
其中,所述第二子区域的宽度等于所述第二发光单元的宽度。
其中,所述第一发光面积与所述第二发光单元面积的比值范围为1/2-2/3。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





