[发明专利]一种通过氧空位调控具有超低损耗和高绝缘电阻率的巨介电陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种通过氧空位调控具有超低损耗和高绝缘电阻率的巨介电陶瓷，其特征在于：其配方化学计量式为Sr_1-xEr_xTiO₃，x = 0.002，0.006，0.008， 0.010，0.012或0.014；

其制备方法如下：

步骤1：制备纯相Sr_1-xEr_xTiO₃粉体；

按照化学式Sr_1-xEr_xTiO₃，x =0.002，0.006，0.008， 0.010，0.012或0.014，将SrCO₃、TiO₂和Er₂O₃混合球磨后烘干得混合物A；

步骤2：制备陶瓷材料

将经球磨烘干后的混合物A压块后于1100-1200℃煅烧2.5~3小时后粉碎研磨120目筛，制成Sr_1-xEr_xTiO₃粉体；

步骤3：制备陶瓷样品

将Sr_1-xEr_xTiO₃粉体压制成试样，并将制好的试样置于以氧化锆为垫板的氧化铝匣钵内，然后将氧化铝匣钵置于管式炉中在氢气下于1490~1510℃进行烧结，烧结完成后冷却至室温后打磨、清洗烧结试样，在打磨和清洗后的烧结试样正反两面均匀涂覆银电极浆料，将涂覆银电极浆料的试样置于以氧化锆为垫板的氧化铝匣钵内，然后将氧化铝匣钵置于管式炉中，在580~600℃的温度下烧结10~20min制得Sr_1-xEr_xTiO₃，其中x = 0.002, 0.006,0.008, 0.010, 0.012, 0.014陶瓷样品。

2.一种通过氧空位调控具有超低损耗和高绝缘电阻率的巨介电陶瓷的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤1：制备纯相Sr_1-xEr_xTiO₃粉体；

按照化学式Sr_1-xEr_xTiO₃，x =0.002，0.006，0.008， 0.010，0.012或0.014，将SrCO₃、TiO₂和Er₂O₃混合球磨后烘干得混合物A；

步骤2：制备陶瓷材料

将经球磨烘干后的混合物A压块后于1100-1200℃煅烧2.5~3小时后粉碎研磨120目筛，制成Sr_1-xEr_xTiO₃粉体；

步骤3：制备陶瓷样品

将Sr_1-xEr_xTiO₃粉体压制成试样，并将制好的试样置于以氧化锆为垫板的氧化铝匣钵内，然后将氧化铝匣钵置于管式炉中在氢气下于1490~1510℃进行烧结，烧结完成后冷却至室温后打磨、清洗烧结试样，在打磨和清洗后的烧结试样正反两面均匀涂覆银电极浆料，将涂覆银电极浆料的试样置于以氧化锆为垫板的氧化铝匣钵内，然后将氧化铝匣钵置于管式炉中，在580~600℃的温度下烧结10~20min制得Sr_1-xEr_xTiO₃，其中x = 0.002, 0.006,0.008, 0.010, 0.012, 0.014陶瓷样品。

3.根据权利要求2所述的通过氧空位调控具有超低损耗和高绝缘电阻率的巨介电陶瓷的制备方法，其特征在于：所述步骤1的球磨的料：球：水的质量为：1：5：（0.8~1）；球磨后在85~100℃烘干20~24h。