[发明专利]一种基于范德华外延制备二维非层状宽带隙氧化物的方法

权利要求书

1.一种基于范德华外延制备二维非层状宽带隙氧化物的方法，其特征在于，包括以下步骤：

将反应原料放置在双温区管式炉的前温区；

将生长基底放置在双温区管式炉的后温区；

向双温区管式炉中通入载气进行加热反应，反应结束后，冷却，即得到二维非层状宽带隙氧化物材料，所述二维非层状宽带隙氧化物材料的化学式为M₂O₃，M³⁺为金属离子Cr³⁺、Bi³⁺和Sb³⁺中的一种或多种；

其中，所述生长基底为范德华材料或表面带有范德华材料的硅片。

2.根据权利要求1所述的基于范德华外延制备二维非层状宽带隙氧化物的方法，其特征在于，所述反应原料为Cr、Bi、Sb或对应的氧化物、氯化物中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的基于范德华外延制备二维非层状宽带隙氧化物的方法，其特征在于，所述范德华材料为云母、氮化硼、石墨或过渡金属硫族化合物中的任一种。

4.根据权利要求1所述的基于范德华外延制备二维非层状宽带隙氧化物的方法，其特征在于，所述载气选用氩气或氧气-氩气的混合气体，所述载气的流量为50-300sccm。

5.根据权利要求1所述的基于范德华外延制备二维非层状宽带隙氧化物的方法，其特征在于，双温区管式炉的前温区的温度为200-700℃，后温区的温度为450-650℃。

6.根据权利要求1所述的基于范德华外延制备二维非层状宽带隙氧化物的方法，其特征在于，所述范德华材料的厚度为0.3-100nm。

7.根据权利要求1所述的基于范德华外延制备二维非层状宽带隙氧化物的方法，其特征在于，所述二维非层状宽带隙氧化物材料的带隙分布在紫外区。

8.根据权利要求1所述的基于范德华外延制备二维非层状宽带隙氧化物的方法，其特征在于，所述二维非层状宽带隙氧化物材料的横向尺寸为5-50μm，厚度为5-50nm。

9.一种二维非层状宽带隙氧化物，其特征在于，利用权利要求1-8任一项所述的制备方法制得。

10.权利要求9所述二维非层状宽带隙氧化物的应用，其特征在于，所述二维非层状宽带隙氧化物用于紫外探测。