[发明专利]驱动基板的制备方法

说明书

本申请实施例公开了一种驱动基板的制备方法，本申请实施例的驱动基板的制备方法在拼接曝光过程中，同层设置的第一曝光层和第二曝光层重叠形成第一拼接区域，并将第一基准标尺、第二基准标尺以及和第三基准标尺均设置在第一拼接区域外侧，且第一基准标尺、第二基准标尺以及和第三基准标尺均是由单次曝光形成，以有效避免因多次曝光而导致基准标尺本身存在误差的影响。而后续同层设置的第三曝光层和第四曝光层在曝光对位中均会使用第二基准标尺进行对位，如此通过在曝光同层时采用同一组基准标尺，如此有效避免了因采用不同基准标尺而导致位置偏差的影响。进而在曝光工艺制程中，提升第二层重叠曝光区域的对位性能，改善重叠曝光区的拼接精度。

技术领域

本申请涉及拼接曝光对位方法领域，具体涉及一种驱动基板的制备方法。

背景技术

随着半导体显示制造技术的不断发展，人们对显示尺寸的要求也越来越高，更大尺寸的电视逐渐进入了普通家庭。为了提升自身竞争力，面板制造厂商必须开发在低世代产线生产大尺寸面板的技术。受限于低世代产线曝光机掩模版分辨率保证区大小，在不更换曝光设备的基础上制作大尺寸面板，只能采用拼接曝光的方式，即一个面板需要多次曝光。

在对现有技术的研究和实践过程中，本申请的发明人发现，在现有的曝光工艺中，第一层电路图案在空白的基板上进行曝光，其电路图案的位置精度由曝光设备本身的精度决定。同时第一层曝光也会形成对位标尺图案，作为后续各层曝光对位的基准，对位标尺的绝对位置准确性是影响后续层电路图案位置精度的首要因素。对于拼接曝光工艺，其拼接曝光的位置精度要求更高，因此拼接区域的对位更为重要。目前拼接曝光工艺对位方案主要分为两种，第一种是后续层对位使用非拼接区域AA的标尺，如图1所示。第二种是后续层拼接区域对位使用第一层拼接区域的标尺，如图2所示。其中，第一种对位方案存在技术缺陷是对于第二层电路拼接曝光区aa而言，由于其对位标尺分别是两次曝光制作而成，对位标尺本身的位置与尺寸存在偏差，这种偏差无法消除，直接影响第二层电路的拼接曝光精度。而第二种对位方案存在技术缺陷是由于共用的基准标尺A1是第一电路层重叠曝光形成，其本身的位置与尺寸精度会受到重叠曝光的影响，对第二电路层重叠曝光区aa的拼接精度造成一定的影响。因此，现有的制备方法中均由于基准标尺的位置及尺寸差异而影响拼接产品第二层及以后的重叠曝光区的拼接精度。

发明内容

本申请实施例提供一种驱动基板的制备方法，可以在拼接曝光产品曝光工艺制程中，提升第二层重叠曝光区域的对位性能，改善重叠曝光区的拼接精度。

本申请实施例提供一种驱动基板的制备方法，包括：

S1：提供一玻璃基板，通过第一掩模板与所述玻璃基板对位，以在所述玻璃基板上界定第一曝光区域，在所述玻璃基板的第一曝光区域形成第一曝光层，所述第一曝光层包括第一基准标尺；

S2：通过第二掩模板与所述玻璃基板对位，以在所述玻璃基板上界定第二曝光区域，所述第二曝光区域与所述第一曝光区域部分重叠设置以形成为第一拼接区域，在所述玻璃基板的所述第二曝光区域形成与所述第一曝光层同层设置的第二曝光层，所述第二曝光层包括第二基准标尺和第三基准标尺，所述第一基准标尺、所述第二基准标尺以及和第三基准标尺同时位于所述第一拼接区域的外侧，且所述第二基准标尺位于所述第一基准标尺和所述第三基准标尺之间；

S3：通过第三掩模板同时与所述第一基准标尺和所述第二基准标尺进行对位后，以在所述玻璃基板上界定第三曝光区域；

S4：通过第四掩模板同时与所述第二基准标尺和所述第三基准标尺进行对位后，以在所述玻璃基板上界定第四曝光区域，所述第四曝光区域与所述第三曝光区域部分重叠设置形成第二拼接区域；

S5：通过所述第三掩模板对所述玻璃基板的第三曝光区域进行曝光以形成第三曝光层，所述第三曝光层位于所述第一曝光层的上方，通过所述第四掩模板对所述玻璃基板的第四曝光区域进行曝光以形成与所述第三曝光层同层设置的第四曝光层。