[发明专利]电子装置在审
申请号: | 202210779816.3 | 申请日: | 2022-07-04 |
公开(公告)号: | CN116053281A | 公开(公告)日: | 2023-05-02 |
发明(设计)人: | 林宜宏;蔡秀怡;曾嘉平;何家齐 | 申请(专利权)人: | 群创光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L25/16 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 马姣琴;臧建明 |
地址: | 中国台湾新竹科学工*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 | ||
本揭露提供一种电子装置,包括基板、驱动元件、导电层以及电子元件。驱动元件设置在基板上。导电层设置在基板上,其中驱动元件与导电层的边缘之间具有第一距离(B)。电子元件设置在导电层上且电性连接驱动元件,其中电子元件与导电层的边缘之间具有第二距离(A),且第一距离(B)大于第二距离(A)。
技术领域
本揭露涉及一种电子装置。
背景技术
为了使电子装置中的电子元件可达到快速地散热或减少电磁干扰等各种功能,一般会在电子装置中形成具有大面积的导电层;然而,此导电层的设置将会增加电子元件的电容负载和/或信号线的阻抗值,或者会使电子装置中的各构件产生地形差异,使得信号线因此产生断线或剥离的可能。因此,对于如何使此电子装置降低上述问题的发生机会而提高可靠度为近年来大力发展的技术之一。
发明内容
本揭露提供一种电子装置,以解决现有电子装置所遭遇的问题,进而提高电子装置的可靠度。
根据本揭露的实施例,电子装置包括基板、驱动元件、导电层以及电子元件。驱动元件设置在基板上。导电层设置在基板上,其中驱动元件与导电层的边缘之间具有第一距离(B)。电子元件设置在导电层上且电性连接驱动元件,其中电子元件与导电层的边缘之间具有第二距离(A),且第一距离(B)大于第二距离(A)。
为让本揭露的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施例,并配合附图作详细说明如下。
附图说明
包含附图以便进一步理解本揭露,且附图并入本说明书中并构成本说明书的一部分。附图说明本揭露的实施例,并与描述一起用于解释本揭露的原理。
图1为本揭露一实施例的电子装置的俯视示意图;
图2A为依据图1的区域R1的一实施例的放大示意图;
图2B为依据图1的区域R1的另一实施例的放大示意图;
图2C为依据图1的区域R1的又一实施例的放大示意图;
图3A为依据图1的一实施例的放大示意图;
图3B为依据图3A的剖线A1-A1’的一实施例的局部剖面示意图;
图3C为依据图3A的剖线B1-B1’的一实施例的局部剖面示意图;
图3D为依据图3A的剖线C1-C1’的一实施例的局部剖面示意图;
图4A为依据图1的另一实施例的放大示意图;
图4B为依据图4A的剖线C2-C2’的一实施例的局部剖面示意图;
图5A为本揭露一实施例的电子装置的导电层之间的设置关系的局部俯视示意图;
图5B为依据图5A的剖线D1-D1’的一实施例的局部剖面示意图;
图5C为依据图5A的剖线D2-D2’的一实施例的局部剖面示意图;
图6为本揭露另一实施例的电子装置的导电层之间的设置关系的局部俯视示意图;
图7A为本揭露又一实施例的电子装置的导电层之间的设置关系的局部俯视示意图;
图7B为依据图7A的剖线E1-E1’的一实施例的局部剖面示意图;
图7C为依据图7A的剖线E2-E2’的一实施例的局部剖面示意图。
具体实施方式
通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本揭露,须注意的是,为了使读者能容易了解及附图的简洁,本揭露中的多张附图只绘出电子装置的一部分,且附图中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外,图中各元件的数量及尺寸仅作为示意,并非用来限制本揭露的范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的