[发明专利]芯片检测方法、装置、设备及存储介质

说明书

本申请提出一种芯片检测方法、装置、设备及存储介质，该芯片检测方法，基于预设检测电路，预设检测电路包括依次连接的芯片接口、上拉电阻及电源接口，芯片接口用于接入待测芯片，且芯片接口和电源接口均连接单片机；方法包括：基于预设检测电路，获取待测芯片在至少一个影响参数的值发生变化过程中，不同参数值对应的接收命令回复数据的总时长；根据各参数值对应的总时长和相同条件下预设基准芯片的基准总时长，确定待测芯片是否满足预设基准芯片的性能参数。本申请能够大大提高区分检测的准确性，减少传统方法造成的误判和漏判现象。

技术领域

本申请属于芯片技术领域，具体涉及一种芯片检测方法、装置、设备及存储介质。

背景技术

随着芯片技术的发展，生产芯片的厂家也越来越多。对于同一种规格型号(尺寸、电性能等相同)的芯片(可以但不限于单片机上的芯片)，市场上也往往会存在来自于多个厂家生产的多种产品。但是不同厂家生产的产品性能往往参差不齐，所以，在使用芯片之前，通常需要对芯片进行检测，以鉴别其是否为所选取的芯片。

现有技术中，在对芯片进行检测时，尤其在两个芯片所采用工艺相近的情况下，两个芯片在特定点位的数据往往相差不大，所以，很容易造成误判与漏判，致使检测结果不够准确。

发明内容

本申请提出一种芯片检测方法、装置、设备及存储介质，该方法能够大大提高区分检测的准确性，减少传统方法造成的误判和漏判现象。

本申请第一方面实施例提出了一种芯片检测方法，基于预设检测电路，所述预设检测电路包括依次连接的芯片接口、上拉电阻及电源接口，所述芯片接口用于接入待测芯片，且所述芯片接口和所述电源接口均连接单片机；所述方法包括：

基于所述预设检测电路，获取所述待测芯片在至少一个影响参数的值发生变化过程中，不同参数值对应的接收命令回复数据的总时长；

根据各参数值对应的总时长和相同条件下预设基准芯片的基准总时长，确定所述待测芯片是否满足所述预设基准芯片的性能参数。

在本申请一些实施例中，获取所述待测芯片在至少一个影响参数的值发生变化过程中，不同参数值对应的接收命令回复数据的总时长，包括：

获取所述待测芯片在输入电压发生变化的过程中，不同输入电压值对应的接收命令回复数据的总时长。

在本申请一些实施例中，根据各参数值对应的总时长和相同条件下预设基准芯片的基准总时长，确定所述待测芯片是否满足所述预设基准芯片的性能参数，包括：

根据各输入电压值对应的所述待测芯片的待测总时长，和各输入电压值对应的预设基准芯片的基准总时长，确定各输入电压值分别对应的所述待测总时长和所述基准总时长；

根据各输入电压值分别对应的所述待测总时长和所述基准总时长，确定所述待测芯片是否满足所述预设基准芯片的性能参数。

在本申请一些实施例中，根据各输入电压值分别对应的所述待测总时长和所述基准总时长，确定所述待测芯片是否满足所述预设基准芯片的性能参数，包括：

计算各输入电压值对应的所述待测总时长和所述基准总时长的第一差值；

确定所有第一差值的绝对值之和是否大于第一预设阈值；

若是，则确定所述待测芯片不满足所述预设基准芯片的性能参数。

在本申请一些实施例中，所述确定所有第一差值的绝对值之和是否大于第一预设阈值之后，还包括：

若否，则计算各输入电压值对应的所述待测总时长和所述基准总时长的时长增长斜率，并确定所有时长增长斜率的绝对值之和是否大于第二预设阈值；

若是，则确定所述待测芯片不满足所述预设基准芯片的性能参数；若否，则确定所述待测芯片满足所述预设基准芯片的性能参数。