[发明专利]芯片检测方法、装置、设备及存储介质在审
申请号: | 202210769972.1 | 申请日: | 2022-07-01 |
公开(公告)号: | CN114994513A | 公开(公告)日: | 2022-09-02 |
发明(设计)人: | 金煜昊;李绍瑜;吕后阳 | 申请(专利权)人: | 浙江地芯引力科技有限公司 |
主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28 |
代理公司: | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人: | 王卫丽 |
地址: | 311215 浙江省杭州市萧*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 检测 方法 装置 设备 存储 介质 | ||
1.一种芯片检测方法,其特征在于,基于预设检测电路,所述预设检测电路包括依次连接的芯片接口、上拉电阻及电源接口,所述芯片接口用于接入待测芯片,且所述芯片接口和所述电源接口均连接单片机;所述方法包括:
基于所述预设检测电路,获取所述待测芯片在至少一个影响参数的值发生变化过程中,不同参数值对应的接收命令回复数据的总时长;
根据各参数值对应的总时长和相同条件下预设基准芯片的基准总时长,确定所述待测芯片是否满足所述预设基准芯片的性能参数。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,获取所述待测芯片在至少一个影响参数的值发生变化过程中,不同参数值对应的接收命令回复数据的总时长,包括:
获取所述待测芯片在输入电压发生变化的过程中,不同输入电压值对应的接收命令回复数据的总时长。
3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,根据各参数值对应的总时长和相同条件下预设基准芯片的基准总时长,确定所述待测芯片是否满足所述预设基准芯片的性能参数,包括:
根据各输入电压值对应的所述待测芯片的待测总时长,和各输入电压值对应的预设基准芯片的基准总时长,确定各输入电压值分别对应的所述待测总时长和所述基准总时长;
根据各输入电压值分别对应的所述待测总时长和所述基准总时长,确定所述待测芯片是否满足所述预设基准芯片的性能参数。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,根据各输入电压值分别对应的所述待测总时长和所述基准总时长,确定所述待测芯片是否满足所述预设基准芯片的性能参数,包括:
计算各输入电压值对应的所述待测总时长和所述基准总时长的第一差值;
确定所有第一差值的绝对值之和是否大于第一预设阈值;
若是,则确定所述待测芯片不满足所述预设基准芯片的性能参数。
5.根据权利要求4所述的方法,其特征在于,所述确定所有第一差值的绝对值之和是否大于第一预设阈值之后,还包括:
若否,则计算各输入电压值对应的所述待测总时长和所述基准总时长的时长增长斜率,并确定所有时长增长斜率的绝对值之和是否大于第二预设阈值;
若是,则确定所述待测芯片不满足所述预设基准芯片的性能参数;若否,则确定所述待测芯片满足所述预设基准芯片的性能参数。
6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,获取所述待测芯片在至少一个影响参数的值发生变化过程中,不同参数值对应的接收命令回复数据的总时长,包括:
获取所述待测芯片在温度发生变化的过程中,不同温度值对应的接收命令回复数据的总时长。
7.根据权利要求6所述的方法,其特征在于,根据各参数值对应的总时长和相同条件下预设基准芯片的基准总时长,确定所述待测芯片是否满足所述预设基准芯片的性能参数,包括:
根据各输入电压值对应的所述待测芯片的待测总时长,和各输入电压值对应的预设基准芯片的基准总时长,确定各温度值分别对应的所述待测总时长和所述基准总时长;
根据各温度值分别对应的所述待测总时长和所述基准总时长,确定所述待测芯片是否满足所述预设基准芯片的性能参数。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,根据所述根据各温度值分别对应的所述待测总时长和所述基准总时长,确定所述待测芯片是否满足所述预设基准芯片的性能参数,包括:
计算各温度值对应的所述待测总时长和所述基准总时长的第二差值;
根据各温度值对应的第二差值,确定所述待测芯片是否满足所述预设基准芯片的性能参数。
9.根据权利要求8所述的方法,其特征在于,所述根据各温度值对应的第二差值,确定所述待测芯片是否满足所述预设基准芯片的性能参数,包括:
根据各温度值对应的第二差值,计算所有第二差值的平均值,并确定所述平均值是否小于或等于第三预设阈值;
若是,则确定所述待测芯片不满足所述预设基准芯片的性能参数;若否,则确定所述待测芯片满足所述预设基准芯片的性能参数。
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