[发明专利]一种电池片浸泡式去膜方法及装置在审
申请号: | 202210761929.0 | 申请日: | 2022-06-29 |
公开(公告)号: | CN115083966A | 公开(公告)日: | 2022-09-20 |
发明(设计)人: | 姚宇;李中天;黄勇 | 申请(专利权)人: | 苏州太阳井新能源有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B3/02;B08B3/08;B08B13/00 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 陈婷婷 |
地址: | 215127 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电池 浸泡 式去膜 方法 装置 | ||
本发明公开了一种电池片浸泡式去膜方法及装置,所述去膜方法包括如下步骤:将电池片固定地置放在载具中;将载有电池片的载具浸泡在去膜液中;采用喷流、鼓泡及顶部溢流中的一种方式或其中两种以上方式的结合,去除附着在所述电池片上的掩膜。采用该去膜方法可以快速高效地去除电池片上的掩膜,去除掩膜的过程中电池片被固定置放在载具上并与去膜液进行接触反应,有效地去除了电池片上的掩膜,使得电池片保持洁净。在去膜的过程中也仅需传输载具即可对电池片予以传输,避免了电池片在去膜过程中造成的产生隐裂、碎片或划伤等风险,提升了电池片的良率。
技术领域
本发明涉及光伏电池片生产领域,具体涉及一种电池片浸泡式去膜方法及装置。
背景技术
在“碳中和”的大背景下,将进一步促进光伏发电技术的广泛和大规模应用。对于电池片(光伏硅片)上的金属栅线制造,目前的主流工艺是利用丝网印刷工艺将导电银浆印刷到电池片上之后烧结的方法,但是导电银浆成本较高。为了降低工艺成本,使得成本较低的镀铜工艺制作金属栅线的方法得以大规模产业化。镀铜工艺制作金属栅线需要先在电池片的表面形成掩膜,再对掩膜进行开口,然后将铜金属沉积到掩膜开口内以形成金属栅线,最后去除掩膜。
现有技术中,电池片上的金属栅线制备完成后,通常是采用链式传输设备来输送电池片,在输送过程中向电池片上的掩膜喷洒去膜液以去除掩膜。然而,由于电池片具有较薄、易碎的特性,以及具有越来越薄的趋势,链式传输会带来电池片隐裂甚至碎片的风险,尤其是对于厚度低于120um的电池片而言,碎片风险更大;再者传输过程中使用的滚轮与电池片表面接触也会产生划伤电池片的风险,导致电池片良率降低。
另一方面,现有技术中,也存在去除电池片表面介质层的方法和设备,这种介质层属于电池片表面的功能层,厚度为100nm左右,一般是因为镀膜异常导致介质层质量问题,因此需要去除介质层后再重新镀膜生成合格的介质层。例如,中国专利CN211479986U公开了一种去膜装置,中国专利CN112670166A公开了一种PERC电池PECVD镀膜不良片的返工清洗方法,这些专利中去除的是电池片上的不良介质层。
而掩膜为电池片生产过程中的需要去除的辅助层,掩膜的材料一般无法完全溶解,使得掩膜溶解过程中产生掩膜碎片,部分掩膜碎片为悬浮物,在去膜液中把载具及电池片从悬浮在其周围的掩膜碎片中提取,避免掩膜碎片粘附在载具及电池片上,存在较大困难。
因此,有必要寻求一种新的去膜方式,解决上述一个或多个问题。
发明内容
本发明的第一目的是提供一种电池片浸泡式去膜方法,以降低电池片去膜过程中被损伤的风险,提升电池片的良率。
为达到上述目的,本发明采用的技术方案是,一种电池片浸泡式去膜方法,包括如下步骤:
S1、将电池片固定地置放在载具中;
S2、将载有电池片的载具浸泡在去膜液中;
S3、采用喷流、鼓泡及顶部溢流中的一种方式或其中两种以上方式的结合,去除附着在所述电池片上的掩膜。
在一些实施例中,所述步骤S3中,采用喷流的方式去除附着在所述电池片上的掩膜时,同时朝向所述电池片的多个表面喷射去膜液,或者,依次朝向所述电池片的不同表面喷射去膜液。
在一些实施例中,所述步骤S3中,采用鼓泡的方式去除附着在所述电池片上的掩膜时,以单一固定的方向朝向所述电池片在所述去膜液中鼓入气体形成单向鼓泡,或者以多个不同的方向同时或者依次朝向所述电池片在所述去膜液中鼓入气体形成多向鼓泡。
在一些实施例中,所述步骤S3中,采用顶部溢流的方式去除附着在所述电池片上的掩膜时,持续向去膜槽中增加去膜液,使得去膜液在高于所述载具及所述电池片的顶部的位置形成溢流。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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