[发明专利]一种利用膜状扩散源制造太阳能发电基片的方法

权利要求书

1.一种利用膜状扩散源制造太阳能发电基片的方法，包括依次进行的绒面制备、扩散前清洗和扩散；其特征在于，扩散过程包括：

步骤一选择相同或不同的半导体膜状扩散源，所述半导体膜状扩散源包括磷纸源和硼纸源；

步骤二将半导体膜状扩散源切割成与硅片扩散区相同的尺寸和形状，以实现仅对硅片扩散区的扩散；

步骤三把已表面处理后的硅片与半导体膜状扩散源进行叠片，叠片后每个硅片的两面扩散区贴合相同或不同的半导体膜状扩散源；所述不同的半导体膜状扩散源包括同一类型但不同浓度的半导体膜状扩散源以及不同类型的半导体膜状扩散源；

步骤四将叠片后的硅片与半导体膜状扩散源装入扩散舟，然后将扩散舟放入扩散炉内进行扩散操作；所述扩散舟放入扩散炉的方式为在扩散炉炉温300-500度范围内时将扩散舟由炉口慢推至恒温区，或者在扩散炉炉温低于300度时直接把扩散舟推送到恒温区；在扩散舟到达恒温区后，扩散炉以一定斜率升温至600度，然后保温一定时间；保温结束后扩散炉炉温升至扩散温度并保温一定时间。

2.根据权利要求1所述的利用膜状扩散源制造太阳能发电基片的方法，其特征在于，步骤四中所述硅片平放在扩散舟中，将叠片后的硅片与半导体膜状扩散源装入扩散舟时用压块从上方压住叠片。

3.根据权利要求1所述的利用膜状扩散源制造太阳能发电基片的方法，其特征在于，步骤四中所述硅片立放在扩散舟中，将叠片后的硅片与半导体膜状扩散源装入扩散舟时，叠片两端用辅助假片塞紧，使得半导体膜状扩散源与硅片表面形成紧密接触。

4.根据权利要求1所述的利用膜状扩散源制造太阳能发电基片的方法，其特征在于，所述硅片为单晶硅片或多晶硅片。

5.根据权利要求4所述的利用膜状扩散源制造太阳能发电基片的方法，其特征在于，所述硅片为P型单晶硅片，步骤三中每个硅片的两面扩散区均贴合磷纸源，经步骤四后每个硅片的两面均存在PN结。

6.根据权利要求4所述的利用膜状扩散源制造太阳能发电基片的方法，其特征在于，所述硅片为P型单晶硅片，步骤三中每个硅片的两面扩散区分别贴合磷纸源和硼纸源，经步骤四后每个硅片的两面分别存在PN结和重扩散层。

7.根据权利要求4所述的利用膜状扩散源制造太阳能发电基片的方法，其特征在于，所述硅片为N型单晶硅片，步骤三中每个硅片的两面扩散区均贴合硼纸源，经步骤四后每个硅片的两面均存在PN结。

8.根据权利要求4所述的利用膜状扩散源制造太阳能发电基片的方法，其特征在于，所述硅片为N型单晶硅片，步骤三中每个硅片的两面扩散区分别贴合硼纸源和磷纸源，经步骤四后每个硅片的两面分别存在PN结和重扩散层。