[发明专利]过滤阴极电弧法制备TiO2 在审
| 申请号： | 202210758410.7 | 申请日： | 2022-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN115125494A | 公开（公告）日： | 2022-09-30 |
| 发明（设计）人： | 姚建可;唐杰;汤皎宁;钟文森 | 申请（专利权）人： | 蓝湖光电（惠州）有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32;C23C14/08;H01L29/49 |
| 代理公司： | 惠州市超越知识产权代理事务所(普通合伙) 44349 | 代理人： | 刘勋 |
| 地址： | 516000 广东省惠州市惠*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 过滤 阴极 电弧 法制 tio base sub | ||
1.一种过滤阴极电弧法制备TiO2基透明导电薄膜的方法，其特征在于，包括：在钠钙玻璃基底或塑料基底，以Ti或者Ti合金为阴极靶材，通氧气反应，基底温度在25-400℃，采用过滤阴极电弧法制备TiO2基透明导电薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种过滤阴极电弧法制备TiO2基透明导电薄膜的方法，其特征在于，以Ti为阴极靶材时，采用过滤阴极电弧法制备TiO2透明导电薄膜。
3.根据权利要求1所述的一种过滤阴极电弧法制备TiO2基透明导电薄膜的方法，其特征在于，以原子比为2-20％Nb掺杂Ti合金为阴极靶材时，采用过滤阴极电弧法制备NbTiO2透明导电薄膜。
4.根据权利要求1所述的一种过滤阴极电弧法制备TiO2基透明导电薄膜的方法，其特征在于，以原子比为1-6％Ta掺杂Ti合金为阴极靶材时，采用过滤阴极电弧法制备TaTiO2透明导电薄膜。
5.根据权利要求1所述的一种过滤阴极电弧法制备TiO2基透明导电薄膜的方法，其特征在于，以原子比为1-9％W掺杂Ti合金为阴极靶材时，采用过滤阴极电弧法制备WTiO2透明导电薄膜。
6.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括基底和有源层，所述有源层沉积在基底上方，所述有源层上沉积源极、绝缘层和漏极，其中，所述有源层位于源极和漏极之间，栅极沉积在绝缘层上方；其中，所述有源层为采用权利要求1-5任意一项方法制备的TiO2基透明导电薄膜。
7.根据权利要求6所述的一种薄膜晶体管，其特征在于，所述栅极、源极和漏极为Ti薄膜，所述绝缘层为ZrO2薄膜。
8.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：采用权利要求1-5任意一项方法制备的TiO2基透明导电薄膜作为有源层。
9.根据权利要求8所述的一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，薄膜晶体管中栅极、源极和漏极的制备方法包括：以Ti为阴极靶材，采用过滤阴极电弧法制备Ti薄膜。
10.根据权利要求8所述的一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，薄膜晶体管中绝缘层的制备方法包括：以Zr为阴极靶材，通氧气反应，采用过滤阴极电弧法制备ZrO2薄膜。
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