[发明专利]一种可调控周期的光栅及制备方法

权利要求书

1.一种可调控周期的光栅，其特征在于，包括：基底层（1）；

光栅层（2），所述的光栅层（2）设置在所述基底层（1）之上；

包层薄膜（3），所述的包层薄膜（3）设置在所述光栅层（2）之上；

所述光栅层（2）由可逆相变材料制成；所述光栅层（2）上设置有光栅结构（4）；

所述光栅结构（4）包括多个光栅周期结构（5），所述多个光栅周期结构（5）由激励信号刻画而成；

每个所述光栅周期结构（5）包括至少两个直线结构（6）；

所述至少两个直线结构（6）的折射率不同。

2.根据权利要求1所述可调控周期的光栅，其特征在于，

每个所述光栅结构（4）包括：第一直线结构和第二直线结构，所述第一直线结构和所述第二直线结构的折射率差值的范围为0~0.9。

3.根据权利要求1所述可调控周期的光栅，其特征在于，所述至少两个直线结构的折射率沿所述至少两个直线结构的设置方向呈阶梯周期变化。

4.根据权利要求3所述可调控周期的光栅，其特征在于，所述光栅周期结构（5）中的相邻直线结构可以是周期渐变的，所述的周期渐变是指相邻直线结构（6）的折射率沿直线结构（6）的设置方向是平稳光滑的渐变。

5.根据权利要求4所述可调控周期的光栅，其特征在于，所述光栅结构（4）的折射率大于所述光栅层（2）中未设置有所述光栅结构（4）的区域的折射率；

所述光栅层（2）中未设置有所述光栅结构（4）的区域的折射率大于所述基底层（1）、所述包层薄膜（3）的折射率。

6.根据权利要求1所述可调控周期的光栅，其特征在于，

具有不同折射率的所述直线结构（6）由不同能量大小的激励信号刻画而成；

具有不同周期的所述光栅周期结构（5）由不同尺寸的激励信号刻画而成。

7.根据权利要求1所述可调控周期的光栅，其特征在于，

所述基底层（1）为红外透明结构，所述光栅结构（4）为透射式光栅结构；或，

所述基底层（1）为反射结构，所述光栅结构（4）为反射式光栅结构。

8.根据权利要求1-7任一项所述可调控周期的光栅，其特征性在于，所述直线结构（6）的最小线宽为200nm。

9.一种可调控周期的光栅的制备方法，其特征在于，包括：

选取镀好可逆相变材料和包层薄膜（3）的基片作为基底；

对所述基底进行清洗；

获取光栅结构（4）的直线结构（6）的组成和折射率；

根据所述光栅结构（4）的直线结构（6）的组成和折射率，利用激励信号使所述可逆相变材料层进行晶化，以刻画出所述光栅结构（4）。

10.根据权利要求9所述一种可调控周期的光栅的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：

当需要对光栅结构（4）进行重构时，利用所述激励信号将所述可逆相变材料层上所述光栅结构（4）所在的区域进行去进晶化；

获取重构的光栅结构（4）的直线结构（6）的组成和折射率；

根据所述重构的光栅结构（4）的直线结构（6）的组成和折射率，利用激励信号使所述可逆相变材料层进行晶化，以刻画出所述重构的光栅结构（4）。