[发明专利]氧化铜纳米片及其制备方法、电催化硝酸根制氨的方法

权利要求书

1.一种氧化铜纳米片的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将氯化铜溶液和氢氧化钠溶液混合搅拌，形成含四羟基合铜配离子的溶液，并进行水热反应；所述氯化铜溶液的摩尔浓度为0.02mol/L～0.10mol/L，所述氢氧化钠溶液的摩尔浓度为2mol/L～4mol/L。

2.根据权利要求1所述的氧化铜纳米片的制备方法，其特征在于，所述氯化铜溶液的摩尔浓度为0.04mol/L～0.08mol/L，所述氢氧化钠溶液的摩尔浓度为2.5mol/L～3.5mol/L。

3.根据权利要求1所述的氧化铜纳米片的制备方法，其特征在于，所述搅拌的速度为800rpm～1200rpm，时间为0.5h～1.5h。

4.根据权利要求1～3任一项所述的氧化铜纳米片的制备方法，其特征在于，所述水热反应的温度为80℃～120℃，时间为6h～16h。

5.根据权利要求1～3任一项所述的氧化铜纳米片的制备方法，其特征在于，在所述水热反应后，还包括纯化的步骤；所述纯化的具体步骤如下：将所述水热反应制得的产物依次用水和无水乙醇进行多次离心洗涤后，干燥。

6.一种如权利要求1～5任一项所述的氧化铜纳米片的制备方法制得的氧化铜纳米片。

7.一种电催化硝酸根还原制氨的方法，其特征在于，采用权利要求6所述的氧化铜纳米片作为催化剂，包括以下步骤：

以负载有所述氧化铜纳米片的导电材料作为工作电极，以无机碱为原料制备pH为13.5～14的电解液；

在恒定电位下进行电解，以还原所述氧化铜纳米片；以及

调控所述电解液中硝酸根的浓度为100mmol/L～1000mmol/L，并电催化所述硝酸根还原制氨。

8.根据权利要求7所述的电催化硝酸根还原制氨的方法，其特征在于，所述导电材料为碳纸。

9.根据权利要求7所述的电催化硝酸根还原制氨的方法，其特征在于，所述固定电位为0V_RHE～-0.6V_RHE中的任意一个。

10.根据权利要求7～9任一项所述的电催化硝酸根还原制氨的方法，其特征在于，所述电解所用的电解池为H型电解池，所述H型电解池包括所述工作电极、对电极和参比电极；优选地，所述对电极为碳棒，所述参比电极为汞|氧化汞电极。