[发明专利]一种高效的集成电路芯片修调测试电路及测试方法

说明书

本申请包括一种高效的集成电路芯片修调测试电路及测试方法，具体涉及集成电路测试技术领域。在该电路中，电路包括原始参数电阻以及多个修调电阻；原始参数电阻依次与多个修调电阻串联后接地；修调电阻的第一端与修调电阻对应的修调开关管的漏极连接；修调电阻的第二端与修调电阻对应的修调开关管的源极连接；修调电阻对应的控制电路与修调电阻对应的修调开关管的栅极连接，以控制修调开关管的导通。通过上述电路结构可以将初始值设计在设计目标值附近，当设计出的集成电路芯片的实际参数值与设计目标值足够接近时则不需要修调，且当需要修调时可以实现双向修调，不会发生因只能单向修调而无法实现修调的情况，从而提高了集成电路芯片测试的效率。

技术领域

本发明涉及集成电路测试技术领域，具体涉及一种高效的集成电路芯片修调测试电路及测试方法。

背景技术

在对半导体集成电路芯片进行测试时，通常需要通过熔丝修调的方式对其内部参数进行调整，从而使得在测的半导体集成电路芯片的各项参数指标均符合设计要求。

现有技术中，如图1所示半导体芯片中包含有多个熔丝，当熔丝熔断时可以对半导体芯片的参数进行调整，并且在半导体芯片中，各个熔丝熔断时所产生的参数变更值通常是按照二进制进行分布的，例如当存在熔丝F1至F6时，则熔断F1至F6所产生的参数变更的修调值分别为1mv至32mv。因此需要对半导体芯片进行熔丝修调时，只需要根据初始值T0和设计目标值T计算出需要调整参数的理论修调值，并与最低位的基准修调值1mv进行比较，并将比值取整后转换为二进制数，低位对应F1，高位对应F6，哪一位为“1”，就烧哪一位对应的熔丝。

上述方案中的修调测试电路，修调时只能从初始值开始向上修调，因此，为了防止出现初始值T0大于设计目标值T，而无法修调的情况，通常在设计芯片时，将初始值T0设计为低于设计目标值T很多，而不是将初始值T0设计在设计目标值T附近，故此时，全部集成电路芯片都需要从初始值T0开始向上修调，使得芯片只能先修调熔丝后，再测试其他性能，从而大大降低了集成电路芯片测试的效率。

发明内容

本申请实施例提供一种高效的集成电路芯片修调测试电路及测试方法，提高了集成电路芯片的测试效率，所述方案如下：

一方面，提供了一种高效的集成电路芯片修调测试电路，所述电路包括原始参数电阻以及多个修调电阻；

所述原始参数电阻依次与多个所述修调电阻串联后接地，以便处于初始状态的所述多个修调电阻与所述原始参数电阻所组成结构的参数的初始值，与设计目标值之间的误差小于第一阈值；

针对每个所述修调电阻，所述修调电阻的第一端与所述修调电阻对应的修调开关管的漏极连接；所述修调电阻的第二端与所述修调电阻对应的修调开关管的源极连接；

所述修调电阻对应的控制电路与所述修调电阻对应的修调开关管的栅极连接，以控制所述修调开关管的导通或关断。

在一种可能的实现方式中，所述修调电阻的第一端分别与所述修调电阻对应的指定个数的修调开关管的漏极连接；所述修调电阻的第二端分别与所述修调电阻对应的指定个数的修调开关管的源极连接；

所述指定个数与所述修调电阻的阻值对应。

在一种可能的实现方式中，所述控制电路包括熔丝电阻、控制电路电阻、逻辑电路、熔丝开关管以及反相模块；

输入电压依次通过所述熔丝电阻连接至所述熔丝开关管的漏极；

所述熔丝开关管的源极接地，以当所述熔丝开关管的栅极接收到导通信号时，将所述熔丝电阻接地；

所述输入电压还通过所述熔丝电阻连接至所述逻辑电路的第一端；

所述输入电压还通过所述控制电路电阻连接至所述逻辑电路的第二端；