[发明专利]一种超疏水黑磷纳米片的制备和应用在审
| 申请号： | 202210720371.1 | 申请日： | 2022-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN115072679A | 公开（公告）日： | 2022-09-20 |
| 发明（设计）人： | 喻学锋;吴列;杨帆;康翼鸿 | 申请（专利权）人： | 武汉中科先进材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B25/02 | 分类号： | C01B25/02;B82Y40/00;B82Y15/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 武汉高得专利代理事务所(普通合伙) 42268 | 代理人： | 杨如增 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市经济技术开发区20*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 疏水 黑磷 纳米 制备 应用 | ||
1.一种超疏水黑磷纳米片，其特征在于，为黑磷晶体边球磨剥离的同时边通过亲电试剂修饰得到的超疏水黑磷纳米材料。
2.根据权利要求1所述超疏水黑磷纳米片，其特征在于，所述亲电试剂为卤代烃，所述卤代烃结构为苯基或C1～6的烷基被1～14个独立卤素原子取代物，卤素原子包括氟、氯、溴、碘中的一种或多种。
3.根据权利要求1所述超疏水黑磷纳米片，其特征在于，所述黑磷纳米片厚度10～20nm，长100～300nm，宽20～30nm。
4.一种超疏水黑磷纳米片的制备方法，其特征在于，取黑磷晶体，在研钵中加入N-甲基吡咯烷酮，研磨后将其分散在N-甲基吡咯烷酮中，随后加入亲电试剂，冰浴下用探头超声处理得到超疏水黑磷纳米片。
5.根据权利要求4所述超疏水黑磷纳米片的制备方法，其特征在于，所述黑磷纳米片与亲电试剂的摩尔比为10：1～1：2。
6.根据权利要求4所述超疏水黑磷纳米片的制备方法，其特征在于，所述研磨的时间8-15min。
7.根据权利要求4所述超疏水黑磷纳米片的制备方法，其特征在于，所述黑磷晶体和N-甲基吡咯烷酮的摩尔体积比为1：1-1：100mol/L。
8.根据权利要求4所述超疏水黑磷纳米片的制备方法，其特征在于，所述超声处理为40～80kHz探头处理6～10h。
9.权利要求1～3中任一项所述超疏水黑磷纳米片或权利要求4～8中任一项所述的制备方法制得的超疏水黑磷纳米片在制备薄膜晶体管材料、电池的负极材料、柔性显示材料、LED材料、光开关材料、生物传感器材料。
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