[发明专利]非易失性存储器件及包括其的存储设备的操作方法

说明书

提供了一种非易失性存储器件及包括其的存储设备的操作方法。所述非易失性存储器件包括：元区域，所述元区域具有存储第一初始数据的第一区域以及存储彼此不同的第二初始数据的多个第二区域；用户区域，所述用户区域被配置为存储用户数据；初始化寄存器，所述初始化寄存器被配置为存储所述第一初始数据或者全部或部分地存储所述第二初始数据；以及控制逻辑，所述控制逻辑被配置为使用存储在所述初始化寄存器中的初始数据来执行读取操作、编程操作或擦除操作。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年6月28日在韩国知识产权局提交的No.10-2021-0083802韩国专利申请的优先权，该专利申请的全部公开内容通过引用合并于此。

技术领域

本公开涉及非易失性存储器件、包括其的存储设备及存储设备的操作方法。

背景技术

通常，非易失性存储器件可以存储包括产品规格的初始化信息，并且可以在施加电力的启动期间读取该初始化信息。非易失性存储器件可以根据客户端的请求而改变设置条件以便与操作和可靠性特征匹配。通常，这样的设置条件可以在在SET级别执行信息数据读取(IDR)之后通过设置附加条件来改变。然而，附加的设置可能要求附加的时间。另外，当将非易失性存储器件作为单个器件提供给用户时，应当从晶片级写入新的信息数据。在这种情况下，其数量管理可能很复杂。

发明内容

本公开的实施例提供一种用户可容易地选择应用用途的非易失性存储器件、包括其的存储设备及存储设备的操作方法。

根据本公开的实施例，一种非易失性存储器件包括：元区域，所述元区域具有存储第一初始数据的第一区域以及存储彼此不同的第二初始数据的多个第二区域；用户区域，所述用户区域被配置为存储用户数据；初始化寄存器，所述初始化寄存器被配置为存储所述第一初始数据或者全部或部分地存储所述第二初始数据；以及控制逻辑，所述控制逻辑被配置为：通过控制引脚来接收命令锁存使能(CLE)信号、地址锁存选通(ALE)信号、芯片使能(CE)信号、写入使能(WE)信号、读取使能(RE)信号和数据选通(DQS)信号，根据所述CLE信号在所述WE信号的边沿锁存命令或者地址，以使用存储在所述初始化寄存器中的所述第一初始数据和所述第二初始数据来执行读取操作、编程操作或擦除操作。

根据本公开的实施例，一种操作存储设备的方法，所述存储设备具有非易失性存储器件和控制所述非易失性存储器件的控制器，所述方法包括：通过供应电力来执行上电操作；根据所述上电操作来选择应用用途；根据所述应用用途来读取初始数据；以及利用所读取的初始数据来设置所述非易失性存储器件的寄存器，其中，所述的根据所述应用用途读取初始数据包括：从所述非易失性存储器件读取与核心操作有关的第一初始数据；以及根据所述应用用途从所述非易失性存储器件读取对应于所述核心操作的第二初始数据。

根据本公开的实施例，一种非易失性存储器件包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列具有多个存储块，每一个所述存储块具有连接到多条字线和多条位线的多个存储单元；行译码器，所述行译码器响应于地址从所述多个存储块当中选择存储块；电压发生器，所述电压发生器提供与所述多条字线当中的选定字线和未选字线相对应的字线电压；页缓冲器，所述页缓冲器连接到所述多条位线并且从与在所述多个存储块当中选择的存储块的所述选定字线连接的存储单元读取数据；以及控制逻辑，所述控制逻辑控制所述行译码器、所述电压发生器和所述页缓冲器；其中，所述多个存储块当中的至少一个存储块包括存储第一初始数据的第一区域以及存储第二初始数据的多个第二区域所述第一区域和所述多个第二区域彼此不同，并且其中，所述控制逻辑还被配置为：根据初始化操作请求来读取存储在所述第一区域中的所述第一初始数据以及存储在所述多个第二区域中的至少一个第二区域中的所述第二初始数据，将所述第一初始数据存储在初始化寄存器中，并将所述第二初始数据存储在所述初始化寄存器的全部或一部分中。