[发明专利]R－T－B系烧结磁体的制造方法

权利要求书

1.一种R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：

所述R－T－B系烧结磁体中，R为稀土元素，必须包含选自Nd、Pr和Ce中的至少1种，T为过渡金属的至少1种且必须包含Fe，

所述制造方法包括：

准备R－T－B系烧结磁体用合金的粗粉碎粉的工序；

对粉碎室由不活泼气体充满的喷射磨装置供给所述粗粉碎粉，将所述粗粉碎粉进行粉碎，得到微粉末的工序；和

制作所述微粉末的烧结体的工序，

所述粗粉碎粉中添加有熔点为20℃以上100℃以下的亚磷酸酯。

2.如权利要求1所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：

所述亚磷酸酯为下述通式(1)所示的化合物，

R¹和R²分别是碳原子数为2以上34以下的脂肪族烃基，

R¹的碳原子数与R²的碳原子数的合计为24以上36以下。

3.如权利要求2所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：

R¹和R²分别是碳原子数为12以上18以下的脂肪族烃基。

4.如权利要求3所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：

所述亚磷酸酯必须包含R¹和R²分别为C₁₂H₂₅的二月桂基氢亚磷酸酯以及R¹和R²分别为C₁₈H₃₅的二油烯基氢亚磷酸酯中的至少一者。

5.如权利要求1～4中任一项所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：

所述亚磷酸酯相对于所述粗粉碎粉的添加量以质量比率计为0.02％以上0.2％以下。

6.如权利要求1～5中任一项所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：

所述R－T－B系烧结磁体的氧含量为400ppm以上4000ppm以下。

7.如权利要求1～6中任一项所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：

所述R－T－B系烧结磁体的R含量为31质量％以下。

8.如权利要求1～7中任一项所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：

所述不活泼气体为氮气。

9.如权利要求1～8中任一项所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：

包括使重稀土元素RH从所述烧结体的表面扩散到内部的扩散工序，其中，RH为Tb、Dy、Ho中的至少1种。

10.如权利要求1～9中任一项所述的R－T－B系烧结磁体的制造方法，其特征在于：

所述得到微粉末的工序中的所述微粉末的平均粒径为2.0μm以上3.5μm以下。