[发明专利]显示面板及显示装置在审
申请号: | 202210700195.5 | 申请日: | 2022-06-20 |
公开(公告)号: | CN115132747A | 公开(公告)日: | 2022-09-30 |
发明(设计)人: | 王杰;白青;杜哲;李胜斌;孙鹏;黄志杰 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 臧静 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示 面板 显示装置 | ||
本发明公开了一种显示面板及显示装置,显示面板包括:基板;扫描驱动电路,设于基板一侧,扫描驱动电路包括第一驱动晶体管,第一驱动晶体管包括层叠设置的第一有源层以及第一栅极;像素驱动电路包括第二驱动晶体管,第二驱动晶体管包括层叠设置的第二有源层和第二栅极,第二有源层和第一有源层同层设置,第一有源层和第二有源层均包括层叠设置的至少两层子有源层,至少两层子有源层中靠近第一栅极的子有源层的迁移率大于至少两层子有源层中靠近第二栅极的子有源层的迁移率。通过第一有源层和第二有源层均包括层叠设置的至少两层子有源层,以实现迁移率与稳定性的平衡,进而实现了扫描驱动电路的高驱动能力与像素驱动电路驱动的高寿命的需求。
技术领域
本发明属于电子产品技术领域,尤其涉及一种显示面板及显示装置。
背景技术
AMOLED(Active-matrix Organic Light Emitting Diode,有源矩阵有机发光二极管)显示面板因具有自发光、高对比度和功耗低等优点,被广泛应用于显示领域。目前,在AMOLED显示面板中采用Oxide(氧化物)背板技术,具有制程简单、均一性好、易于大世代线生产且成本低廉等优势。但受到现有的金属氧化物材料配比及制程限制,无法同时满足采用驱动器件的迁移率与稳定性的要求。
因此,亟需一种新的显示面板及显示装置。
发明内容
本发明实施例提供了一种显示面板及显示装置,靠近第一驱动晶体管的第一栅极的子有源层具有较高的迁移率,进而提高由迁移率影响的驱动电流,满足扫描驱动电路高驱动能力的需求;同时,靠近第二栅极的子有源层具有较低的迁移率,以实现较优的像素驱动电路的器件稳定性,利于保证显示面板的寿命及可靠性。
本发明实施例一方面提供了一种显示面板,包括:基板;扫描驱动电路,设于所述基板一侧,所述扫描驱动电路包括第一驱动晶体管,沿所述显示面板的厚度方向,所述第一驱动晶体管包括层叠设置的第一有源层以及第一栅极;像素驱动电路,和所述扫描驱动电路设于所述基板同一侧,所述像素驱动电路包括第二驱动晶体管,沿所述显示面板的厚度方向,所述第二驱动晶体管包括层叠设置的第二有源层和第二栅极,所述第二有源层和所述第一有源层同层设置,所述第一有源层和所述第二有源层均包括层叠设置的至少两层子有源层,所述至少两层子有源层中靠近所述第一栅极的所述子有源层的迁移率大于所述至少两层子有源层中靠近所述第二栅极的所述子有源层的迁移率。
根据本发明的一个方面,所述第一驱动晶体管还包括设于所述第一有源层靠近所述基板一侧的第三栅极,所述第三栅极和所述第二栅极同层设置。
根据本发明的一个方面,所述第二驱动晶体管还包括设于所述第二有源层背离所述基板一侧的第四栅极,所述第四栅极浮空设置。
根据本发明的一个方面,所述第二驱动晶体管还包括设于所述第二有源层背离所述基板一侧的第二源极和第二漏极,以及与所述第二源极电连接的第四栅极。
根据本发明的一个方面,还包括第一屏蔽层,所述第一屏蔽层设于所述第四栅极背离所述基板一侧,所述第一屏蔽层分别和所述第四栅极以及所述第二源极电连接。
根据本发明的一个方面,还包括绝缘层,所述绝缘层至少包括第一绝缘层和第二绝缘层,所述第一绝缘层至少部分设于所述第三栅极和所述第一有源层之间,所述第二绝缘层至少部分设于所述第一栅极和所述第一有源层之间;优选的,所述第一绝缘层的厚度大于所述第二绝缘层的厚度。
根据本发明的一个方面,还包括电容结构,所述电容结构包括第一电极和第二电极,所述第二栅极复用于所述第一电极,所述第二电极设于所述第二栅极和所述基板之间,所述第一电极在所述基板上的正投影和所述第二电极在所述基板上的正投影至少部分重合;优选的,所述第二电极的面积大于所述第一电极的面积。优选的,在所述第一电极和所述第二电极之间设有电容绝缘层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的