[发明专利]一种刻蚀方法、LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种刻蚀方法，其特征在于，包括：

提供待刻蚀结构，所述待刻蚀结构包括半导体材料层；

对所述待刻蚀结构进行刻蚀形成预设图形，所述刻蚀过程包括：

在所述待刻蚀结构的表面形成刻蚀增强层，且所述待刻蚀结构相对所述刻蚀增强层的刻蚀选择比不小于1；

在所述刻蚀增强层表面形成敏感型负性光刻胶，进行曝光、显影形成具有光刻胶图形的掩膜板后，通过敏感源使所述负性光刻胶两侧表面交联实现光刻胶图形反转；

通过刻蚀、去胶工艺，使所述待刻蚀结构的刻蚀区域形成预设图形。

2.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述负性光刻胶包括热敏负性光刻胶，所述刻蚀增强层包括聚合物层。

3.根据权利要求2所述的刻蚀方法，其特征在于，在所述聚合物层表面旋涂所述热敏负性光刻胶，进行曝光、显影形成具有光刻胶图形的掩膜板后，还包括：

步骤一、对所述待刻蚀结构背离所述进行负性光刻胶的一侧表面，采用烤板进行反转烘烤通过热传导作用于光刻胶下表面实现加热，直至所述光刻胶坚膜，且所述聚合物层玻璃化；

步骤二、在所述负性光刻胶表面进行泛曝光，通过泛曝光以定型所述负性光刻胶并提升其抗刻蚀能力；

步骤三、在所述负性光刻胶表面进行烘烤，使所述光刻胶上表面通过热对流实现加热；从而，通过所述步骤一与所述步骤三，使所述负性光刻胶两侧表面热交联，以实现光刻胶图形反转；

步骤四、通过刻蚀、去胶工艺，使所述待刻蚀结构的刻蚀区域形成预设图形。

4.根据权利要求3所述的刻蚀方法，其特征在于，所述聚合物层的玻璃化温度范围与所述烤板的烘烤温度范围等同。

5.根据权利要求3所述的刻蚀方法，其特征在于，所述步骤一所述的烤板烘烤温度不小于所述步骤三所述的负性光刻胶表面烘烤温度，使所述负性光刻胶的上、下表面形成热交联温度差，以实现光刻胶图形的反转。

6.根据权利要求5所述的刻蚀方法，其特征在于，所述步骤一所述的烤板烘烤温度与所述步骤二所述的负性光刻胶表面烘烤温度差值范围为5℃～40℃，包括端点值。

7.根据权利要求6所述的刻蚀方法，其特征在于，所述聚合物层的聚合温度为80℃～110℃，其玻璃化温度为120℃～140℃，包括端点值；所述烤板的烘烤温度为120℃～140℃，包括端点值；所述负性光刻胶表面烘烤温度为90～105℃，包括端点值。

8.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，所述聚合物层包括有机硅氧烷、多羟基多苯环树脂中的一种或多种。

9.根据权利要求3所述的刻蚀方法，其特征在于，在烤箱内，在空气环境或氮气环境中，执行所述步骤三所述的负性光刻胶表面烘烤以形成通过热对流实现加热；所述步骤一所述的烤板烘烤在真空环境中进行以形成通过热传导实现加热。

10.根据权利要求1所述的刻蚀方法，其特征在于，在所述聚合物层与所述负性光刻胶之间还设有表面改性层，所述表面改性层用于控制所述聚合物层与所述负性光刻胶接触面的结合强度。

11.根据权利要求10所述的刻蚀方法，其特征在于，所述表面改性层包括六甲基二硅氮烷，所述六甲基二硅氮烷用作表面改性层，可在对所述负性光刻胶表面进行烘烤加热时，减少羟基浓度以控制所述聚合物层与所述负性光刻胶接触面的结合强度。