[发明专利]基板处理装置和基板处理方法

说明书

本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。基板处理装置包括：支承单元，该支承单元用于支承并旋转基板，在该基板上形成有第一图案和与所述第一图案不同的第二图案；液体供应单元，该液体供应单元用于将处理液供应至支承在支承单元上的基板；以及加热单元，该加热单元用于加热第一图案和第二图案中的任一者。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年6月8日提交韩国专利局的、申请号为10-2021-0074359的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。

技术领域

本发明涉及一种基板处理装置和基板处理方法。

背景技术

为了制造半导体设备，在诸如晶圆等基板上执行各种工艺，诸如光刻、刻蚀、灰化、离子注入和薄膜沉积。在各工艺中使用各种处理液和处理气体。另外，在基板上执行干燥工艺，以便从基板移除用于处理基板的处理液。

用于在晶圆上形成图案的光刻工艺包括曝光工艺。曝光工艺是将粘附在晶圆上的半导体集成材料切割成期望图案的预操作。曝光工艺可以具有各种目的，诸如形成用于刻蚀的图案、以及形成用于离子注入的图案。曝光工艺在晶圆上用光跟随掩模绘制图案，该掩模是一种“框架”。当光发射至晶圆上的半导体集成材料时、诸如发射至晶圆上的光刻胶时，光刻胶的化学性质根据由光和掩模形成的图案而改变。在将显影剂供应至光刻胶(光刻胶的化学性质根据图案而改变)时，在晶圆上形成图案。

为了精确地执行曝光工艺，需要精确地制造以上描述的掩模。图1为示出了可以在曝光工艺中使用的掩模的示例的示意图。参考图1，当对位掩模M时，可以将所使用的多个对位标记AK标记在可以在曝光工艺中使用的掩模M上。另外，掩模M具有多个单元C。在每个单元C中，可以形成多个曝光图案EP，该多个曝光图案EP用于在曝光工艺期间在基板上形成图案。另外，每个单元C可以具有第一图案P1，该第一图案P1是用于监测的图案。另外，可以在单元C外侧的区域中形成第二图案P2，该第二图案P2是用于设定执行曝光工艺的曝光设备的条件的图案。当通过使用掩模M来执行曝光工艺时，为了使曝光工艺精确地执行，优选曝光图案EP的线宽、第一图案P1的线宽和第二图案P2的线宽是相同的。

当执行刻蚀以使得第一图案P1的线宽与第二图案P2的线宽彼此相等时，在图案中可能会发生过度刻蚀。例如，可能会数次出现第一图案P1的刻蚀率和第二图案P2的刻蚀率之间的差异，并且为了减少这样的差异，在刻蚀第一图案P1或第二图案P2的工艺中可能会在第一图案P1和第二图案P2中发生过度刻蚀。当为了将过度刻蚀的发生最小化而精确地执行刻蚀工艺时，该刻蚀工艺花费大量时间。因此，额外执行了用于精确地校准形成在掩模M上的图案的线宽的线宽校准工艺。

图2示出了执行线宽校准工艺之前关于掩模M的第一图案P1的第一线宽CDP1和第二图案P2的线宽CDP2的正态分布，该线宽校准工艺是掩模M制造工艺的最后操作。另外，第一线宽CDP1和第二线宽CDP2具有的大小小于目标线宽。并且，如参考图2可以看出，在执行线宽校准工艺之前，将偏差有意地置于第一图案P1和第二图案P2的临界尺寸(CriticalDimension，CD)中。

在线宽校准工艺中，将刻蚀化学液体供应到基板上，使得第一线宽CDP1和第二线宽CDP2变为目标线宽。然而，当在基板上均匀地供应刻蚀化学液体时，即使第一线宽CDP1和第二线宽CDP2中的任一者可以达到目标线宽，第一线宽CDP1和第二线宽CDP2中的另一者也难以达到目标线宽。进一步地，第一线宽CDP1和第二线宽CDP2之间的偏差并未减小。如上所述制造的掩模M使得难以精确地执行曝光工艺。

发明内容

本发明致力于提供一种能够有效处理基板的基板处理装置和基板处理方法。

本发明还致力于提供一种能够将形成在基板上的图案的处理偏差最小化的基板处理装置和基板处理方法。

本发明还致力于提供一种能够使形成在基板上的图案的线宽均匀的基板处理装置和基板处理方法。