[发明专利]液体处理设备

说明书

本发明构思提供一种液体处理设备。液体处理设备包含：旋转卡盘，配置为支承及旋转基板；及液体供应单元，配置为向基板供应液体，且其中液体供应单元包含：喷嘴，配置为将液体排出至基板；流路管，配置为连接喷嘴及液体供应单元；阀组合件，设置在流路管处，且配置为截止及回吸流路管内的液体的流，其中，阀组合件包括：截止阀，配置为打开及关闭流路管内的处理液体的流；及回吸阀，设置成与截止阀的一端相邻，且配置为回吸喷嘴的液体，其中，液体处理设备进一步包括：调整引入或流出截止阀的空气的流速的第一流速控制器和调整引入或流出回吸阀的空气的流速的第二流速控制器，且其中第二流速控制器将液体的回吸移动速度控制在10毫米/秒或更低。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2021年6月3日提交韩国专利局的、申请号为10-2021-0072353的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。

技术领域

本文描述的本发明构思的实施方案是关于一种用于用化学品处理基板的液体处理设备及用于处理基板的化学品的控制方法。

背景技术

通常，通过在基板上以薄膜的形式沉积各种材料且对沉积的材料进行图案化来制造半导体装置。为此，需要若干阶段的不同工艺，诸如沉积工艺、摄影工艺、蚀刻工艺及清洁工艺。

在这些工艺中，蚀刻侦测为移除在基板上形成的膜的工艺，且清洁工艺为在制造半导体的每一单位工艺之后移除残留在基板的表面上的污染物的工艺。蚀刻工艺及清洁工艺根据工艺进展方法分为湿法及干法，且湿法分为批处理式方法及旋转式方法。

旋转式方法将基板固定至能够处理一个基板的支承单元，在旋转基板的同时通过液体供应喷嘴向基板供应化学品(例如蚀刻液、清洁液或上升液)，从而利用离心力在基板的顶表面上散布化学品来清洁基板，且在清洁基板之后以各种方法干燥基板。

在旋转式处理设备中，在旋转基板的同时执行基板清洁，且归因于在旋转期间供应至基板的化学品及其他原因而产生静电。此静电影响暴露于喷嘴的一端的化学品。换言之，静电导致形成喷嘴的一端的化学品的液滴，且导致诸如集中现象及环形形状等特定缺陷。

发明内容

本发明构思的实施方案提供一种液体处理设备及液体控制方法，以用于提高基板处理效率。

本发明构思的实施方案提供一种液体处理设备及液体控制方法，以用于控制归因于静电引起的异常辐射现象的发生。

本发明构思的实施方案提供一种液体处理装置及液体控制方法，以用于最小化归因于在处理过程期间由管道排空而产生的烟雾或其类似者引起的管道污染。

本发明构思的实施方案提供一种液体处理设备及液体控制方法，以用于控制归因于静电引起的异常辐射现象的发生，静电由低表面张力溶液产生。

本发明构思的技术目的不限于上述目的，且其他未提及的技术目的根据以下描述对于熟习此项技术者而言将为明显的。

本发明构思提供一种液体处理设备。液体处理设备包含：旋转卡盘，配置为支承及旋转基板；及液体供应单元，配置为向基板供应液体，且其中液体供应单元包括：喷嘴，配置为将液体排出至基板；流路管，配置为连接喷嘴及液体供应单元；阀组合件，设置在流路管处，且配置为截止及回吸流路管内的液体的流，阀组合件包括：截止阀，配置为打开及关闭流路管内的处理液体的流；回吸阀，设置成与截止阀的一端相邻，且配置为回吸喷嘴的液体；及第一流速控制器，配置为调整引入或流出截止阀的空气的流速；及第二流速控制器，配置为调整引入或流出回吸阀的空气的流速，且其中第二流速控制器将液体的回吸移动速度控制在10mm/s或更低。

在实施方案中，液体处理设备进一步包含空气调节器，以用于将施加至回吸阀的气压调整至第一压力或更低，且其中作为施加至回吸阀的气压的第一压力与施加至截止阀的第二压力不同。

在实施方案中，第一气压低于第二气压。