[发明专利]太阳能电池及光伏组件

说明书

本申请实施例涉及光伏领域，特别涉及一种太阳能电池及光伏组件，包括基底、依次设置在基底上表面的发射极、正面钝化膜以及穿透正面钝化膜与发射极形成接触的正面电极；其中，基底包括第一掺杂元素，第一掺杂元素经退火激活后得到激活的第一掺杂元素；激活的第一掺杂元素在基底上表面的掺杂浓度为5×10¹⁸atom/cm³~1.5×10¹⁹atom/cm³；且激活的第一掺杂元素在基底上表面的激活概率为20%~40%；激活概率为激活的第一掺杂元素的掺杂浓度与总注入的第一掺杂元素的浓度的比值。本申请实施例通过提高激活的第一掺杂元素在基底表层中的掺杂浓度以及掺杂概率，减小死层的影响，提高太阳能电池的转换效率。

技术领域

本申请实施例涉及光伏领域，特别涉及一种太阳能电池及光伏组件。

背景技术

光伏组件常规的化石燃料日益消耗殆尽，在所有的可持续能源中，太阳能无疑是一种最清洁、最普遍和最有潜力的替代能源。目前，在所有的太阳电池中，晶体硅太阳电池是得到大范围商业推广的太阳能电池之一，这是由于硅材料在地壳中有着极为丰富的储量，同时晶体硅太阳电池相比其他类型的太阳能电池有着优异的电学性能和机械性能，因此，晶体硅太阳电池在光伏领域占据着重要的地位。

太阳能电池具有较好的光电转换能力，太阳能电池在制备过程中需要在硅片表面进行扩散工艺以制备P-N结，从而产生内建电场并分离光生载流子。因此掺杂工艺是太阳能电池制备中重要的一环，会影响P-N结质量以及电池光电转换效率。

发明内容

本申请实施例的目的在于提供一种太阳能电池及光伏组件，提高太阳能电池的转换效率。

为解决上述问题，本申请实施例提供一种太阳能电池，包括：基底、依次设置在基底上表面的发射极、正面钝化膜以及穿透正面钝化膜与发射极形成接触的正面电极；其中，基底包括第一掺杂元素，第一掺杂元素经退火激活后得到激活的第一掺杂元素；激活的第一掺杂元素在基底上表面的掺杂浓度为5×10¹⁸atom/cm³~1.5×10¹⁹atom/cm³；且激活的第一掺杂元素在基底上表面的激活概率为20%~40%；激活概率为激活的第一掺杂元素的掺杂浓度与总注入的第一掺杂元素的浓度的比值。

另外，激活的第一掺杂元素在基底中的掺杂浓度随掺杂深度的增加呈先升高再降低的变化趋势。

另外，总注入的第一掺杂元素的浓度在基底中随掺杂深度的增加的变化趋势与激活的第一掺杂元素在基底中的掺杂浓度随掺杂深度的变化趋势相同。

另外，在基底上表面指向基底背表面的方向上，基底包括第一区、第二区和第三区；其中，第二区位于第一区和第三区之间；第一区相对于第二区靠近基底的上表面，第三区相对于第二区靠近基底的背表面；第一掺杂元素在第二区的掺杂浓度以及第一掺杂元素在第三区的掺杂浓度均小于第一掺杂元素在第一区的掺杂浓度。

另外，第一区的界面深度为基底厚度的1.8%~2.4%；第一区的界面深度为第一区远离基底上表面的一侧与基底上表面之间的垂直距离。

另外，第一区的界面深度为350nm~450nm。

另外，第二区的界面深度为基底厚度的5.3%~6.3%，第二区的界面深度为1000nm~1200nm；第三区的界面深度为基底厚度的6.3%~8.4%，第三区的界面深度为1200nm~1600nm。

另外，激活的第一掺杂元素的激活概率随着掺杂深度的增加呈先升高再降低的变化趋势；第一掺杂元素在第二区的激活概率为60%~90%；第一掺杂元素在第三区的激活概率为5%~90%。