[发明专利]太阳能电池及光伏组件

权利要求书

1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：

基底（10）；

依次设置在所述基底（10）上表面的发射极（111）、正面钝化膜（112）以及穿透所述正面钝化膜（112）与所述发射极（111）形成接触的正面电极（114）；

其中，所述基底（10）包括第一掺杂元素，所述第一掺杂元素经退火激活后得到激活的第一掺杂元素；

所述激活的第一掺杂元素在所述基底（10）上表面的掺杂浓度为5×10¹⁸atom/cm³~1.5×10¹⁹atom/cm³；且所述激活的第一掺杂元素在所述基底（10）上表面的激活概率为20%~40%；所述激活概率为所述激活的第一掺杂元素的掺杂浓度与总注入的所述第一掺杂元素的浓度的比值；

所述基底（10）为硅基底，所述第一掺杂元素为硼元素；所述激活的第一掺杂元素在所述基底（10）中的掺杂浓度随掺杂深度的增加呈先升高再降低的变化趋势；在掺杂深度为0~300nm时，所述激活的第一掺杂元素在所述基底（10）中的掺杂浓度随掺杂深度的增加而升高，并在掺杂深度为300nm处，所述激活的第一掺杂元素在所述基底（10）中的掺杂浓度达到峰值。

2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其特征在于，所述总注入的第一掺杂元素的浓度在所述基底（10）中随掺杂深度的增加的变化趋势与所述激活的第一掺杂元素在所述基底（10）中的掺杂浓度随掺杂深度的变化趋势相同。

3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，在所述基底（10）上表面指向所述基底（10）背表面的方向上，所述基底（10）包括第一区、第二区和第三区；其中，所述第二区位于所述第一区和所述第三区之间；所述第一区相对于所述第二区靠近所述基底（10）的上表面，所述第三区相对于所述第二区靠近所述基底（10）的背表面；

所述第一掺杂元素在所述第二区的掺杂浓度以及所述第一掺杂元素在所述第三区的掺杂浓度均小于所述第一掺杂元素在所述第一区的掺杂浓度。

4.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一区的界面深度为所述基底（10）厚度的1.8%~2.4%；

所述第一区的界面深度为所述第一区远离所述基底（10）上表面的一侧与所述基底（10）上表面之间的垂直距离。

5.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述第一区的界面深度为350nm~450nm。

6.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述第二区的界面深度为所述基底（10）厚度的5.3%~6.3%，所述第二区的界面深度为1000nm~1200nm；

所述第三区的界面深度为所述基底（10）厚度的6.3%~8.4%，所述第三区的界面深度为1200nm~1600nm。

7.根据权利要求3所述的太阳能电池，其特征在于，所述激活的第一掺杂元素的激活概率随着掺杂深度的增加呈先升高再降低的变化趋势；

所述第一掺杂元素在所述第二区的激活概率为60%~90%；

所述第一掺杂元素在所述第三区的激活概率为5%~90%。