[发明专利]一种太阳能叠层电池、电池组件和光伏系统在审
申请号: | 202210608854.2 | 申请日: | 2022-05-31 |
公开(公告)号: | CN115020519A | 公开(公告)日: | 2022-09-06 |
发明(设计)人: | 杨新强;黎景宇;邱开富;俞江峰;王蕾;任才博;陈刚 | 申请(专利权)人: | 浙江爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0352 | 分类号: | H01L31/0352;H01L31/0687 |
代理公司: | 深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙) 44333 | 代理人: | 左光明 |
地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 太阳能 电池 组件 系统 | ||
本申请适用于太阳能电池技术领域,提供了一种太阳能叠层电池、电池组件和光伏系统。太阳能叠层电池包括晶硅电池、多个薄膜电池和载流子梯度传输层,多个薄膜电池间隔地设于晶硅电池上,载流子梯度传输层设于晶硅电池与薄膜电池之间。如此,由于在晶硅电池和薄膜电池之间设有载流子梯度传输层,故可以实现载流子的定向传输,减少太阳能叠层电池的复合,提升转化效率。
技术领域
本申请属于太阳能电池技术领域,尤其涉及一种太阳能叠层电池、电池组件和光伏系统。
背景技术
太阳能电池发电为一种可持续的清洁能源来源,其利用半导体p-n结的光生伏特效应可以将太阳光转化成电能。
相关技术的太阳能叠层电池,在顶电池与底电池的叠层交界处设置金属电极。在因光照而产生光生载流子时,顶电池产生的载流子通过前表面电极和叠层交界处的电极引出,底电池产生的载流子通过叠层交界处的电极和背面电极引出。因此,叠层交界处的金属电极可以同时引出顶电池和底电池光照所产生的载流子。然而如此,底电池的载流子有很大一部分会在顶电池所在区域发生复合,造成效率损失。
基于此,如何减少太阳能叠层电池的复合,成为了亟待解决的问题。
发明内容
本申请提供一种太阳能叠层电池、电池组件和光伏系统,旨在解决如何减少太阳能叠层电池的复合的问题。
本申请提供的太阳能叠层电池,包括:
晶硅电池;
多个薄膜电池,间隔地设于所述晶硅电池上;
载流子梯度传输层,设于所述晶硅电池与所述薄膜电池之间。
可选地,沿从所述薄膜电池的中心线至未被所述薄膜电池覆盖的区域的方向,对应的所述载流子梯度传输层的掺杂浓度提升。
可选地,所述载流子梯度传输层连续地设于所述晶硅电池与所述薄膜电池之间,沿从所述薄膜电池的中心线至所述薄膜电池外的方向,对应的所述载流子梯度传输层的掺杂浓度连续提升。
可选地,所述载流子梯度传输层包括多个载流子梯度传输块,沿从所述薄膜电池的中心线至所述薄膜电池外的方向,对应的多个所述载流子梯度传输块的掺杂浓度依次提升。
可选地,所述载流子梯度传输层为掺磷非晶硅层,所述载流子梯度传输块的数量为2个,分别为第一传输块和第二传输块,所述第一传输块位于所述薄膜电池的中心线,掺杂浓度的范围为0.01%-0.1%;所述第二传输块位于所述薄膜电池的边缘,掺杂浓度的范围为0.1%-0.9%。
可选地,多个所述载流子梯度传输块之间设有隧穿层。
可选地,所述晶硅电池包括硅衬底,所述硅衬底在与所述薄膜电池非对应区域设有重掺杂非晶硅层。
可选地,所述载流子梯度传输层中各区域的致密度与掺杂浓度呈正相关。
可选地,所述晶硅电池为顶电池,所述薄膜电池为底电池,所述晶硅电池的背面形成有间隔设置的凹槽,所述所述薄膜电池设于所述凹槽。
可选地,所述薄膜电池朝向所述晶硅电池的一侧形成叉指结构,所述叉指结构包括间隔设置的第一载流子传输层和第二载流子传输层,所述第一载流子传输层和/或所述第二载流子传输层为所述载流子梯度传输层。
可选地,所述载流子梯度传输层的宽度范围为0.5μm-300μm。
可选地,所述载流子梯度传输层的厚度范围为5nm-100nm。
本申请提供的电池组件,包括上述任一项的太阳能叠层电池。
本申请提供的光伏系统,包括上述的电池组件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的