[发明专利]一种具有低反向恢复电荷的超结功率器件终端结构在审
| 申请号： | 202210605096.9 | 申请日： | 2022-05-31 |
| 公开（公告）号： | CN115000152A | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 刘超;夏云;陈万军;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学重庆微电子产业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 重庆辉腾律师事务所 50215 | 代理人： | 卢胜斌 |
| 地址： | 401332 重庆市沙坪*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 反向 恢复 电荷 功率 器件 终端 结构 | ||
1.一种具有低反向恢复电荷的超结功率器件终端结构，包括漏极结构、耐压层结构以及源极结构，其中：
所述漏极结构包括漏极金属(1)以及n+漏区(2)，所述n+漏区(2)的上表面与耐压层接触；所述漏极金属(1)上表面与n+漏区(2)下表面接触；所述漏极金属(1)引出端为器件漏极；
所述耐压层结构包括n型漂移区(3)、p型漂移区(4)以及n型场截止环(5)，所述n型漂移区(3)和p型漂移区(4)并列设置于n+漏区(2)上表面；所述n型场截止环(5)位于n型漂移区(3)上表面，靠近终端边缘；
所述源极结构包括p型阱区(6)、p+源极(7)和源极金属(8)，所述p型阱区(6)与耐压层接触；所述p+源极(7)位于p型阱区(9)上表面；所述源极金属(8)与p+源极(7)上表面接触；所述源极金属(8)引出端为器件源极；
其特征在于，在耐压层结构的表面设置有p+短路区(9)、n+短路区(10)、浮空金属(11)，p+短路区(9)、n+短路区(10)相邻设置，所述p+短路区(9)位于p型漂移区(4)上表面且远离源极一侧；所述n+短路区(10)位于n型漂移区(3)上表面且远离源极一侧；所述浮空金属(11)同时与p+短路区(9)和n+短路区(10)上表面接触。
2.根据权利要求1所述的一种具有低反向恢复电荷的超结功率器件终端结构，n型漂移区(3)包括多根n条，p型漂移区(4)包括多根p条，多个n条和多根p条之间交叉设置。
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